改善硅锗淀积表面粗糙度的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010027341.X

申请日：

2010-01-21

公开(公告)号：

CN102136423A

公开(公告)日：

2011-07-27

发明(设计)人：

陈帆徐炯范永洁季伟张海芳

申请人：

申请人地址：

201206 上海市浦东新区川桥路1188号

IPC主分类号：

H01L21331

IPC分类号：

H01L213105

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

孙大为

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-03-20	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101535411972 IPC(主分类):H01L 21/331 专利申请号:201010027341X 申请公布日:20110727
2011-07-27	公开	公开
2011-09-07	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101104509500 IPC(主分类):H01L 21/331 专利申请号:201010027341X 申请日:20100121

共 50 条

[1]

改善钢管表面粗糙度的方法 [P].

曹献龙 ;

王焕新 ;

王世杰 .

中国专利 :CN111500963A ,2020-08-07

[2]

改善经蚀刻的含硅及锗材料表面粗糙度的处理 [P].

姚斌 ;

李子汇 ;

王安川 .

美国专利 :CN121100395A ,2025-12-09

[3]

改善硅片表面粗糙度的工艺方法 [P].

蔡来强 .

中国专利 :CN120048724A ,2025-05-27

[4]

改善晶片的表面粗糙度的工艺 [P].

E·内雷 ;

E·阿雷纳 ;

L·埃卡尔诺 .

中国专利 :CN1879204B ,2006-12-13

[5]

改善光刻胶表面粗糙度的方法 [P].

成智国 ;

耿文练 .

中国专利 :CN109062010A ,2018-12-21

[6]

改善铸件表面粗糙度的方法及系统 [P].

李旭 ;

王俊 .

中国专利 :CN112276800A ,2021-01-29

[7]

降低多晶硅表面粗糙度的方法 [P].

李勇 .

中国专利 :CN106601593A ,2017-04-26

[8]

一种改善多晶硅表面粗糙度的工艺方法 [P].

高杏 ;

孙勤 ;

申广耀 .

中国专利 :CN106206275A ,2016-12-07

[9]

一种高温改善多晶硅表面粗糙度的方法 [P].

成鑫华 ;

高杏 .

中国专利 :CN103835000A ,2014-06-04

[10]

降低表面粗糙度的方法 [P].

E·布雷 ;

L·埃尔卡诺 .

中国专利 :CN1524289A ,2004-08-25

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