一种非熔融超晶格相变薄膜材料

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110484811.3

申请日：

2021-04-30

公开(公告)号：

CN113346012A

公开(公告)日：

2021-09-03

发明(设计)人：

程晓敏张博凯缪向水

申请人：

申请人地址：

430074 湖北省武汉市珞喻路1037号

IPC主分类号：

H01L4500

IPC分类号：

代理机构：

武汉华之喻知识产权代理有限公司 42267

代理人：

彭翠;曹葆青

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-09-03	公开	公开
2021-09-21	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 45/00 申请日:20210430

共 50 条

[1]

一种非熔融超晶格相变薄膜材料 [P].

程晓敏 ;

张博凯 ;

缪向水 .

中国专利 :CN113346012B ,2025-01-10

[2]

一种超晶格相变薄膜及相变存储器 [P].

程晓敏 ;

张博凯 ;

曾运韬 ;

缪向水 ;

马平 ;

廖宇 ;

石晓钟 .

中国专利 :CN115589770A ,2023-01-10

[3]

二维材料改良的超晶格相变薄膜、相变存储器及制备方法 [P].

程晓敏 ;

冯金龙 ;

吴文豪 ;

缪向水 .

中国专利 :CN110556476A ,2019-12-10

[4]

一种具有快速转变性能的类超晶格相变薄膜材料 [P].

胡益丰 ;

张锐 ;

郭璇 ;

尤海鹏 ;

朱小芹 ;

邹华 .

中国专利 :CN109285944B ,2019-01-29

[5]

一种用于相变存储器的Si/Sb类超晶格相变薄膜材料 [P].

朱小芹 ;

胡益丰 ;

邹华 ;

袁丽 ;

吴卫华 ;

郑龙 ;

张建豪 ;

吴世臣 ;

眭永兴 .

中国专利 :CN108321295A ,2018-07-24

[6]

一种GeTe/Sb类超晶格相变薄膜材料及制备方法和射频开关 [P].

胡志高 ;

侯张晨 ;

张金中 ;

李亚巍 ;

商丽燕 ;

朱亮清 ;

褚君浩 .

中国专利 :CN118742193A ,2024-10-01

[7]

低密度变化的超晶格相变薄膜、相变存储器及其制备方法 [P].

程晓敏 ;

冯金龙 ;

徐明 ;

徐萌 ;

缪向水 .

中国专利 :CN110931635B ,2020-03-27

[8]

一种用于相变存储器的Al/Ge10Sb90类超晶格相变薄膜材料及制备方法 [P].

邹华 ;

胡益丰 ;

朱小芹 ;

张建豪 ;

郑龙 ;

孙月梅 ;

袁丽 ;

眭永兴 .

中国专利 :CN107768518B ,2018-03-06

[9]

一种相变薄膜材料纳米线的制备方法 [P].

宋志棠 ;

封松林 .

中国专利 :CN100342562C ,2004-11-10

[10]

类超晶格锌锑-锑硒纳米相变薄膜及其制备和应用 [P].

吴卫华 ;

朱小芹 ;

薛建忠 .

中国专利 :CN111276609A ,2020-06-12

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