基于折叠式比较器的STT‑RAM读取电路及控制方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510189983.2

申请日：

2015-04-21

公开(公告)号：

CN104795095B

公开(公告)日：

2015-07-22

发明(设计)人：

魏榕山黄海舟郭仕忠王珏胡惠文张泽鹏何明华

申请人：

申请人地址：

350002 福建省福州市鼓楼区工业路523号

IPC主分类号：

G11C1116

IPC分类号：

代理机构：

福州元创专利商标代理有限公司 35100

代理人：

蔡学俊

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-07-22	公开	公开
2017-07-04	授权	授权
2015-08-19	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101621078789 IPC(主分类):G11C 11/16 专利申请号:2015101899832 申请日:20150421

共 50 条

[1]

基于折叠式比较器的STT-RAM读取电路 [P].

魏榕山 ;

黄海舟 ;

郭仕忠 ;

蔡宣敬 ;

张泽鹏 .

中国专利 :CN204558028U ,2015-08-12

[2]

基于折叠式比较器的低功耗STT-RAM读取电路 [P].

魏榕山 ;

于静 ;

王珏 ;

钟美庆 ;

张泽鹏 .

中国专利 :CN204558027U ,2015-08-12

[3]

基于折叠式比较器的低功耗读取电路及控制方法 [P].

魏榕山 ;

刘德鑫 ;

林心禹 ;

于静 ;

王珏 ;

张泽鹏 .

中国专利 :CN104795093A ,2015-07-22

[4]

基于两级放大器的STT-RAM读取电路及其控制方法 [P].

魏榕山 ;

于静 ;

王珏 ;

郭仕忠 ;

胡惠文 ;

张泽鹏 ;

何明华 .

中国专利 :CN104795094A ,2015-07-22

[5]

基于两级放大器的STT-RAM读取电路 [P].

魏榕山 ;

黄荣 ;

王珏 ;

黄海舟 ;

张泽鹏 .

中国专利 :CN204558019U ,2015-08-12

[6]

基于两级放大器的低功耗STT-RAM读取电路 [P].

魏榕山 ;

刘德鑫 ;

林心禹 ;

钱振煌 ;

于静 ;

张泽鹏 .

中国专利 :CN204632340U ,2015-09-09

[7]

低功耗两级放大器STT‑RAM读取电路的控制方法 [P].

魏榕山 ;

王珏 ;

郭仕忠 ;

于静 ;

胡惠文 ;

张泽鹏 ;

何明华 .

中国专利 :CN104795089B ,2015-07-22

[8]

MRAM单元读取电路及读取方法、STT-MRAM [P].

汪腾野 ;

王韬 ;

罗睿明 .

中国专利 :CN113160861A ,2021-07-23

[9]

MRAM单元读取电路及读取方法、STT-MRAM [P].

汪腾野 ;

王韬 ;

罗睿明 .

中国专利 :CN113160861B ,2024-06-04

[10]

SRAM的读取电路及方法 [P].

张适纬 ;

胡展源 ;

黄志森 .

中国专利 :CN108511015A ,2018-09-07

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