MRAM单元读取电路及读取方法、STT-MRAM

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202010015813.3
申请日
2020-01-07
公开(公告)号
CN113160861B
公开(公告)日
2024-06-04
发明(设计)人
汪腾野 王韬 罗睿明
申请人
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请人地址
201203 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区张江路18号
IPC主分类号
G11C11/16
IPC分类号
代理机构
上海德禾翰通律师事务所 31319
代理人
侯莉
法律状态
授权
国省代码
安徽省 宣城市
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共 50 条
[1]
MRAM单元读取电路及读取方法、STT-MRAM [P]. 
汪腾野 ;
王韬 ;
罗睿明 .
中国专利 :CN113160861A ,2021-07-23
[2]
MRAM读取电路 [P]. 
王莎莎 ;
何世坤 ;
侯嘉 ;
李琨琨 .
中国专利 :CN117636933A ,2024-03-01
[3]
MTJ单元及STT-MRAM [P]. 
简红 ;
蒋信 .
中国专利 :CN108511602B ,2018-09-07
[4]
参考单元写入电路、写入方法及STT-MRAM [P]. 
薛书简 ;
李彬鸿 ;
李建忠 ;
徐勇 ;
罗军 ;
王云 ;
叶甜春 .
中国专利 :CN117636935A ,2024-03-01
[5]
MRAM存储器及MRAM阵列读取电路 [P]. 
周永亮 ;
刘明月 ;
汪腾野 ;
张梦迪 .
中国专利 :CN113140241B ,2024-07-30
[6]
MRAM存储器及MRAM阵列读取电路 [P]. 
周永亮 ;
刘明月 ;
汪腾野 ;
张梦迪 .
中国专利 :CN113140241A ,2021-07-20
[7]
匹配STT-MRAM不对称读取和写入电流的电路结构及方法 [P]. 
李炎璟 .
中国专利 :CN119380773A ,2025-01-28
[8]
匹配STT-MRAM不对称读取和写入电流的电路结构及方法 [P]. 
李炎璟 .
中国专利 :CN119380773B ,2025-08-05
[9]
磁性隧道结读取电路、MRAM芯片及读取方法 [P]. 
俞华樑 ;
戴瑾 .
中国专利 :CN108257634B ,2018-07-06
[10]
MRAM读取电路及其读取方法、存储器 [P]. 
罗睿明 ;
王韬 ;
汪腾野 .
中国专利 :CN114596891B ,2025-12-12