参考单元写入电路、写入方法及STT-MRAM

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202311701813.9

申请日：

2023-12-11

公开(公告)号：

CN117636935A

公开(公告)日：

2024-03-01

发明(设计)人：

薛书简李彬鸿李建忠徐勇罗军王云叶甜春

申请人：

广东省大湾区集成电路与系统应用研究院

申请人地址：

510535 广东省广州市广州开发区开源大道136号A栋

IPC主分类号：

G11C11/16

IPC分类号：

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

张凤伟

法律状态：

公开

国省代码：

广东省

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-03-01	公开	公开
2024-03-19	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):G11C 11/16申请日:20231211

共 50 条

[1]

MRAM单元读取电路及读取方法、STT-MRAM [P].

汪腾野 ;

王韬 ;

罗睿明 .

中国专利 :CN113160861A ,2021-07-23

[2]

MRAM单元读取电路及读取方法、STT-MRAM [P].

汪腾野 ;

王韬 ;

罗睿明 .

中国专利 :CN113160861B ,2024-06-04

[3]

一种用于STT-MRAM的混合型写入结构及写入方法 [P].

姜岩峰 ;

成关壹 .

中国专利 :CN114121069B ,2025-08-26

[4]

一种用于STT-MRAM的混合型写入结构及写入方法 [P].

姜岩峰 ;

成关壹 .

中国专利 :CN114121069A ,2022-03-01

[5]

MTJ单元及STT-MRAM [P].

简红 ;

蒋信 .

中国专利 :CN108511602B ,2018-09-07

[6]

参考单元及其初始化方法和电路、STT-MRAM [P].

崔岩 ;

李彬鸿 ;

徐勇 ;

王云 ;

叶甜春 .

中国专利 :CN120108448A ,2025-06-06

[7]

STT-MRAM参考单元及其制备方法及包含该参考单元的芯片 [P].

崔岩 ;

罗军 ;

杨美音 ;

许静 .

中国专利 :CN110277490A ,2019-09-24

[8]

匹配STT-MRAM不对称读取和写入电流的电路结构及方法 [P].

李炎璟 .

中国专利 :CN119380773A ,2025-01-28

[9]

一种STT-MRAM的双端自检写电路及数据写入方法 [P].

刘冬生 ;

陆家昊 ;

李豪 ;

严进 ;

刘波 ;

金子睿 ;

喻红梅 ;

鄢奉赜 .

中国专利 :CN110993001A ,2020-04-10

[10]

匹配STT-MRAM不对称读取和写入电流的电路结构及方法 [P].

李炎璟 .

中国专利 :CN119380773B ,2025-08-05

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