MTJ单元及STT-MRAM

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710115591.0

申请日：

2017-02-28

公开(公告)号：

CN108511602B

公开(公告)日：

2018-09-07

发明(设计)人：

简红蒋信

申请人：

申请人地址：

311121 浙江省杭州市余杭区文一西路1500号1幢311

IPC主分类号：

H01L4308

IPC分类号：

H01L2722 G11C1116

代理机构：

北京康信知识产权代理有限责任公司 11240

代理人：

赵囡囡;吴贵明

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-07-13	授权	授权
2021-07-09	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移 IPC(主分类):H01L 43/08 登记生效日:20210625 变更事项:申请人变更前权利人:中电海康集团有限公司变更后权利人:中电海康集团有限公司变更事项:地址变更前权利人:311121 浙江省杭州市余杭区文一西路1500号1幢311室变更后权利人:311121 浙江省杭州市余杭区文一西路1500号1幢311 变更事项:申请人变更后权利人:浙江驰拓科技有限公司
2018-09-07	公开	公开
2018-10-09	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 43/08 申请日:20170228

共 50 条

[1]

垂直磁化MTJ器件及STT-MRAM [P].

简红 ;

蒋信 .

中国专利 :CN109087995A ,2018-12-25

[2]

MTJ器件的制作方法、MTJ器件及STT-MRAM [P].

简红 ;

刘鲁萍 ;

蒋信 .

中国专利 :CN107958950A ,2018-04-24

[3]

MTJ器件的制作方法、MTJ器件及STT-MRAM [P].

简红 ;

刘鲁萍 ;

蒋信 .

中国专利 :CN107958951A ,2018-04-24

[4]

MRAM单元读取电路及读取方法、STT-MRAM [P].

汪腾野 ;

王韬 ;

罗睿明 .

中国专利 :CN113160861A ,2021-07-23

[5]

MRAM单元读取电路及读取方法、STT-MRAM [P].

汪腾野 ;

王韬 ;

罗睿明 .

中国专利 :CN113160861B ,2024-06-04

[6]

一种STT-MRAM存储单元 [P].

王真 ;

何岳巍 ;

胡少杰 ;

闵泰 .

中国专利 :CN106783862B ,2017-05-31

[7]

STT-MRAM存储器 [P].

戴强 ;

陆宇 .

中国专利 :CN109873010A ,2019-06-11

[8]

用于检查STT-MRAM中的有缺陷的MTJ单元的方法和系统 [P].

宋润洽 .

韩国专利 :CN111937072B ,2024-03-19

[9]

参考单元写入电路、写入方法及STT-MRAM [P].

薛书简 ;

李彬鸿 ;

李建忠 ;

徐勇 ;

罗军 ;

王云 ;

叶甜春 .

中国专利 :CN117636935A ,2024-03-01

[10]

用于检查STT-MRAM中的有缺陷的MTJ单元的方法和系统 [P].

宋润洽 .

韩国专利 :CN117746938A ,2024-03-22

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