用于检查STT-MRAM中的有缺陷的MTJ单元的方法和系统

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202311733066.7
申请日
2019-03-26
公开(公告)号
CN117746938A
公开(公告)日
2024-03-22
发明(设计)人
宋润洽
申请人
三星电子株式会社
申请人地址
韩国京畿道水原市
IPC主分类号
G11C11/16
IPC分类号
G01R31/27 G01R31/26 H10B61/00
代理机构
北京铭硕知识产权代理有限公司 11286
代理人
张利;张川绪
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
用于检查STT-MRAM中的有缺陷的MTJ单元的方法和系统 [P]. 
宋润洽 .
韩国专利 :CN111937072B ,2024-03-19
[2]
用于检查STT-MRAM中的有缺陷的MTJ单元的方法和系统 [P]. 
宋润洽 .
中国专利 :CN111937072A ,2020-11-13
[3]
STT-MRAM中的字线电压控制 [P]. 
杨赛森 ;
迈赫迪·哈米迪·萨尼 ;
升·H·康 .
中国专利 :CN102203870A ,2011-09-28
[4]
MTJ器件的制作方法、MTJ器件及STT-MRAM [P]. 
简红 ;
刘鲁萍 ;
蒋信 .
中国专利 :CN107958950A ,2018-04-24
[5]
MTJ器件的制作方法、MTJ器件及STT-MRAM [P]. 
简红 ;
刘鲁萍 ;
蒋信 .
中国专利 :CN107958951A ,2018-04-24
[6]
具有矩形底部电极板的STT-MRAM位单元 [P]. 
威廉·夏 .
中国专利 :CN102119423A ,2011-07-06
[7]
一种用于STT-MRAM中的写电路 [P]. 
程学农 ;
李学明 ;
姜岩峰 ;
张光军 .
中国专利 :CN112863567A ,2021-05-28
[8]
一种用于STT-MRAM中的写电路 [P]. 
程学农 ;
李学明 ;
姜岩峰 ;
张光军 .
中国专利 :CN214377681U ,2021-10-08
[9]
一种用于STT-MRAM中的写电路 [P]. 
程学农 ;
李学明 ;
姜岩峰 ;
张光军 .
中国专利 :CN112863567B ,2024-07-16
[10]
垂直STT-MRAM的磁性屏蔽 [P]. 
R.阿林格 ;
K.霍夫曼 ;
K.克诺布洛赫 ;
R.施特伦茨 .
中国专利 :CN104518080B ,2015-04-15