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用于检查STT-MRAM中的有缺陷的MTJ单元的方法和系统
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202311733066.7
申请日
:
2019-03-26
公开(公告)号
:
CN117746938A
公开(公告)日
:
2024-03-22
发明(设计)人
:
宋润洽
申请人
:
三星电子株式会社
申请人地址
:
韩国京畿道水原市
IPC主分类号
:
G11C11/16
IPC分类号
:
G01R31/27
G01R31/26
H10B61/00
代理机构
:
北京铭硕知识产权代理有限公司 11286
代理人
:
张利;张川绪
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2024-04-09
实质审查的生效
实质审查的生效IPC(主分类):G11C 11/16申请日:20190326
2024-03-22
公开
公开
共 50 条
[1]
用于检查STT-MRAM中的有缺陷的MTJ单元的方法和系统
[P].
宋润洽
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
三星电子株式会社
三星电子株式会社
宋润洽
.
韩国专利
:CN111937072B
,2024-03-19
[2]
用于检查STT-MRAM中的有缺陷的MTJ单元的方法和系统
[P].
宋润洽
论文数:
0
引用数:
0
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0
宋润洽
.
中国专利
:CN111937072A
,2020-11-13
[3]
STT-MRAM中的字线电压控制
[P].
杨赛森
论文数:
0
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0
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0
杨赛森
;
迈赫迪·哈米迪·萨尼
论文数:
0
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0
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迈赫迪·哈米迪·萨尼
;
升·H·康
论文数:
0
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0
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0
升·H·康
.
中国专利
:CN102203870A
,2011-09-28
[4]
MTJ器件的制作方法、MTJ器件及STT-MRAM
[P].
简红
论文数:
0
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0
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0
简红
;
刘鲁萍
论文数:
0
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0
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0
刘鲁萍
;
蒋信
论文数:
0
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0
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0
蒋信
.
中国专利
:CN107958950A
,2018-04-24
[5]
MTJ器件的制作方法、MTJ器件及STT-MRAM
[P].
简红
论文数:
0
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简红
;
刘鲁萍
论文数:
0
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刘鲁萍
;
蒋信
论文数:
0
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0
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0
蒋信
.
中国专利
:CN107958951A
,2018-04-24
[6]
具有矩形底部电极板的STT-MRAM位单元
[P].
威廉·夏
论文数:
0
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0
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0
威廉·夏
.
中国专利
:CN102119423A
,2011-07-06
[7]
一种用于STT-MRAM中的写电路
[P].
程学农
论文数:
0
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程学农
;
李学明
论文数:
0
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李学明
;
姜岩峰
论文数:
0
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0
姜岩峰
;
张光军
论文数:
0
引用数:
0
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0
张光军
.
中国专利
:CN112863567A
,2021-05-28
[8]
一种用于STT-MRAM中的写电路
[P].
程学农
论文数:
0
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0
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程学农
;
李学明
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李学明
;
姜岩峰
论文数:
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姜岩峰
;
张光军
论文数:
0
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0
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0
张光军
.
中国专利
:CN214377681U
,2021-10-08
[9]
一种用于STT-MRAM中的写电路
[P].
程学农
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
中电海康无锡科技有限公司
中电海康无锡科技有限公司
程学农
;
李学明
论文数:
0
引用数:
0
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机构:
中电海康无锡科技有限公司
中电海康无锡科技有限公司
李学明
;
姜岩峰
论文数:
0
引用数:
0
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机构:
中电海康无锡科技有限公司
中电海康无锡科技有限公司
姜岩峰
;
张光军
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
中电海康无锡科技有限公司
中电海康无锡科技有限公司
张光军
.
中国专利
:CN112863567B
,2024-07-16
[10]
垂直STT-MRAM的磁性屏蔽
[P].
R.阿林格
论文数:
0
引用数:
0
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0
R.阿林格
;
K.霍夫曼
论文数:
0
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0
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K.霍夫曼
;
K.克诺布洛赫
论文数:
0
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0
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0
K.克诺布洛赫
;
R.施特伦茨
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
R.施特伦茨
.
中国专利
:CN104518080B
,2015-04-15
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