MTJ器件的制作方法、MTJ器件及STT-MRAM

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610899487.0

申请日：

2016-10-14

公开(公告)号：

CN107958951A

公开(公告)日：

2018-04-24

发明(设计)人：

简红刘鲁萍蒋信

申请人：

申请人地址：

311121 浙江省杭州市余杭区文一西路998号

IPC主分类号：

H01L4308

IPC分类号：

H01L4300 H01L4312 H01L213065 G11C1102 G11C1115

代理机构：

北京康信知识产权代理有限责任公司 11240

代理人：

赵囡囡;吴贵明

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-12-17	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 43/08 申请公布日:20180424
2018-04-24	公开	公开
2018-05-18	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 43/08 申请日:20161014

共 50 条

[1]

MTJ器件的制作方法、MTJ器件及STT-MRAM [P].

简红 ;

刘鲁萍 ;

蒋信 .

中国专利 :CN107958950A ,2018-04-24

[2]

垂直磁化MTJ器件及STT-MRAM [P].

简红 ;

蒋信 .

中国专利 :CN109087995A ,2018-12-25

[3]

MTJ单元及STT-MRAM [P].

简红 ;

蒋信 .

中国专利 :CN108511602B ,2018-09-07

[4]

用于检查STT-MRAM中的有缺陷的MTJ单元的方法和系统 [P].

宋润洽 .

韩国专利 :CN111937072B ,2024-03-19

[5]

用于检查STT-MRAM中的有缺陷的MTJ单元的方法和系统 [P].

宋润洽 .

韩国专利 :CN117746938A ,2024-03-22

[6]

用于检查STT-MRAM中的有缺陷的MTJ单元的方法和系统 [P].

宋润洽 .

中国专利 :CN111937072A ,2020-11-13

[7]

HEMT器件的制作方法及HEMT器件 [P].

李敏 ;

尹欢 ;

赵雨佳 ;

于志强 ;

荆学东 .

中国专利 :CN120475731A ,2025-08-12

[8]

MRAM单元读取电路及读取方法、STT-MRAM [P].

汪腾野 ;

王韬 ;

罗睿明 .

中国专利 :CN113160861A ,2021-07-23

[9]

MRAM单元读取电路及读取方法、STT-MRAM [P].

汪腾野 ;

王韬 ;

罗睿明 .

中国专利 :CN113160861B ,2024-06-04

[10]

一种基于STT-MRAM加速固态存储器件启动的方法 [P].

蔡晓晰 ;

李炜 ;

丁钢波 ;

杨杰 ;

曹学成 ;

徐庶 .

中国专利 :CN109032843B ,2018-12-18

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