In2O3－ZnO系溅射靶

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201280022038.8

申请日：

2012-05-08

公开(公告)号：

CN103518003A

公开(公告)日：

2014-01-15

发明(设计)人：

糸濑将之西村麻美砂川美佐笠见雅司矢野公规

申请人：

申请人地址：

日本国东京都

IPC主分类号：

C23C1434

IPC分类号：

C04B3500 C04B35622 H01L21203 H01L21285 H01L21336 H01L21363 H01L29786

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

蒋亭

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-06-04	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101582555143 IPC(主分类):C23C 14/34 专利申请号:2012800220388 申请日:20120508
2016-02-03	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101727331862 IPC(主分类):C23C 14/34 专利申请号:2012800220388 申请公布日:20140115
2014-01-15	公开	公开

共 50 条

[1]

In2O3－SnO2－ZnO系溅射靶 [P].

糸濑将之 ;

西村麻美 ;

砂川美佐 ;

笠见雅司 ;

矢野公规 .

中国专利 :CN103534382A ,2014-01-22

[2]

ZnO-Al2O3-MgO溅射靶及其制备方法 [P].

安德列亚斯·赫尔佐克 ;

克里斯托夫·西蒙斯 .

中国专利 :CN105008579A ,2015-10-28

[3]

ZnO-Ga2O3系溅射靶用烧结体及其制造方法 [P].

长山五月 ;

里之园馨 .

中国专利 :CN102187009A ,2011-09-14

[4]

In-Ga-Zn-O系溅射靶 [P].

矢野公规 ;

糸濑将之 .

中国专利 :CN103334085A ,2013-10-02

[5]

In-Ga-Zn-O系溅射靶 [P].

矢野公规 ;

糸濑将之 .

中国专利 :CN102362004B ,2012-02-22

[6]

SnO2系溅射靶 [P].

森中泰三 .

中国专利 :CN101568665A ,2009-10-28

[7]

In-Ga-Zn系氧化物溅射靶 [P].

矢野公规 ;

糸濑将之 ;

西村麻美 .

中国专利 :CN102362003A ,2012-02-22

[8]

SnO2系溅射靶和溅射膜 [P].

森中泰三 .

中国专利 :CN101542009A ,2009-09-23

[9]

金属系溅射靶材 [P].

稻熊徹 ;

坂本广明 ;

安藤彰朗 ;

大石忠美 ;

泉真吾 ;

中村元 .

中国专利 :CN101960042A ,2011-01-26

[10]

ZrO2-In2O3系光记录介质保护膜形成用溅射靶 [P].

张守斌 ;

三岛昭史 .

中国专利 :CN101796214A ,2010-08-04

← 1 2 3 4 5 →