碳化硅晶体生长用熔体装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010779206.4

申请日：

2020-08-05

公开(公告)号：

CN111676518A

公开(公告)日：

2020-09-18

发明(设计)人：

郑红军

申请人：

申请人地址：

100000 北京市海淀区稻香园3号楼3单元401

IPC主分类号：

C30B3500

IPC分类号：

C30B2936

代理机构：

北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463

代理人：

张延薇

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-10-20	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 35/00 申请日:20200805
2022-01-28	著录事项变更	著录事项变更 IPC(主分类):C30B 35/00 变更事项:申请人变更前:中科臻晶（无锡）半导体有限公司变更后:常州臻晶半导体有限公司变更事项:地址变更前:214000 江苏省无锡市锡山区芙蓉中三路99号瑞云6座401室变更后:213100 江苏省常州市武进区武进国家高新技术产业开发区武宜南路377号19号厂房一层东
2020-09-18	公开	公开
2020-11-20	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移 IPC(主分类):C30B 35/00 登记生效日:20201106 变更事项:申请人变更前权利人:郑红军变更后权利人:中科臻晶（无锡）半导体有限公司变更事项:地址变更前权利人:100000 北京市海淀区稻香园3号楼3单元401 变更后权利人:214000 江苏省无锡市锡山区芙蓉中三路99号瑞云6座401室

共 50 条

[1]

碳化硅晶体生长用坩埚和碳化硅晶体生长装置 [P].

徐良 ;

曹力力 ;

蓝文安 ;

朱卫祥 ;

阳明益 ;

刘建哲 ;

余雅俊 .

中国专利 :CN210974929U ,2020-07-10

[2]

碳化硅晶体生长用坩埚及碳化硅晶体生长装置 [P].

徐良 ;

蓝文安 ;

刘建哲 ;

余雅俊 ;

李京波 ;

夏建白 ;

陈素春 .

中国专利 :CN215404657U ,2022-01-04

[3]

碳化硅晶体熔体生长装置 [P].

郑红军 .

中国专利 :CN111676519A ,2020-09-18

[4]

碳化硅晶体生长用石墨组件及碳化硅晶体生长装置 [P].

钱昊 ;

梁刚强 ;

苏奕霖 ;

李强 ;

杨倩倩 .

中国专利 :CN220433065U ,2024-02-02

[5]

碳化硅晶体生长装置 [P].

燕靖 .

中国专利 :CN118704083A ,2024-09-27

[6]

碳化硅晶体生长装置 [P].

燕靖 ;

陈俊宏 .

中国专利 :CN114108094A ,2022-03-01

[7]

碳化硅晶体生长装置 [P].

薛卫明 ;

马远 ;

潘尧波 .

中国专利 :CN217757758U ,2022-11-08

[8]

碳化硅晶体生长装置 [P].

段元浩 ;

浩瀚 ;

赵新田 .

中国专利 :CN117684257A ,2024-03-12

[9]

碳化硅晶体生长装置 [P].

刘晨 ;

王旻峰 .

中国专利 :CN120818897A ,2025-10-21

[10]

碳化硅晶体生长装置 [P].

李远田 ;

陈俊宏 ;

李兆颖 ;

周来平 .

中国专利 :CN114892275A ,2022-08-12

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