ITO薄膜及其制备方法、LED芯片及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310737277.8

申请日：

2013-12-29

公开(公告)号：

CN104752569A

公开(公告)日：

2015-07-01

发明(设计)人：

王宽冒耿波荣延栋王厚工丁培军

申请人：

申请人地址：

100176 北京市北京经济技术开发区文昌大道8号

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

H01L3342

代理机构：

北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112

代理人：

彭瑞欣;张天舒

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-05-15	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 33/00 申请公布日:20150701
2017-10-10	著录事项变更	著录事项变更号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101760388092 IPC(主分类):H01L 33/00 专利申请号:2013107372778 变更事项:申请人变更前:北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司变更后:北京北方华创微电子装备有限公司变更事项:地址变更前:100176 北京市北京经济技术开发区文昌大道8号变更后:100176 北京市北京经济技术开发区文昌大道8号
2015-07-01	公开	公开
2015-07-29	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101618652989 IPC(主分类):H01L 33/00 专利申请号:2013107372778 申请日:20131229

共 50 条

[1]

ITO薄膜及其制备方法 [P].

阮勇 ;

尤政 ;

张晓琳 .

中国专利 :CN108374155A ,2018-08-07

[2]

一种多方向生长晶粒的ITO薄膜及其制备方法、LED芯片及其制备方法 [P].

申加兵 ;

陈康 ;

刘琦 ;

王成新 ;

徐现刚 .

中国专利 :CN105679887B ,2016-06-15

[3]

LED芯片及其制备方法 [P].

张杰 ;

彭遥 .

中国专利 :CN105655460A ,2016-06-08

[4]

金属掺杂ITO透明导电薄膜紫外LED芯片及其制备方法 [P].

王洪 ;

文茹莲 ;

胡晓龙 .

中国专利 :CN109037413A ,2018-12-18

[5]

金属掺杂ITO透明导电薄膜紫外LED芯片及其制备方法 [P].

王洪 ;

文茹莲 ;

胡晓龙 .

中国专利 :CN109037413B ,2024-08-09

[6]

一种ITO薄膜及制备方法、LED芯片 [P].

罗钢铁 ;

张星星 ;

林潇雄 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN116288177B ,2025-08-19

[7]

一种带ITO薄膜结构的LED芯片及其制备方法 [P].

张银桥 ;

潘彬 .

中国专利 :CN105895771B ,2016-08-24

[8]

一种具有ITO薄膜结构的LED芯片及其制备方法 [P].

张银桥 ;

潘彬 .

中国专利 :CN106129205B ,2016-11-16

[9]

高亮度ITO薄膜LED芯片及其制造方法 [P].

白继锋 ;

张银桥 ;

潘彬 .

中国专利 :CN108321264A ,2018-07-24

[10]

一种ITO薄膜LED芯片及其制造方法 [P].

白继锋 ;

张银桥 ;

潘彬 .

中国专利 :CN108269895A ,2018-07-10

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