反应腔室和半导体工艺设备

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202011307993.9

申请日：

2020-11-19

公开(公告)号：

CN112553594A

公开(公告)日：

2021-03-26

发明(设计)人：

何中凯

申请人：

申请人地址：

100176 北京市大兴区北京经济技术开发区文昌大道8号

IPC主分类号：

C23C1644

IPC分类号：

代理机构：

北京思创毕升专利事务所 11218

代理人：

孙向民;廉莉莉

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-03-26	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体工艺设备及其反应腔室 [P].

舒鑫 .

中国专利 :CN118066875A ,2024-05-24

[2]

反应腔室及半导体工艺设备 [P].

王世如 ;

杨玉杰 ;

董彦超 ;

傅新宇 .

中国专利 :CN115679277A ,2023-02-03

[3]

半导体工艺设备的反应腔室及半导体工艺设备 [P].

成航航 ;

林源为 .

中国专利 :CN213691989U ,2021-07-13

[4]

半导体工艺设备的反应腔室及半导体工艺设备 [P].

茅兴飞 ;

许金基 ;

黄海涛 ;

李岩 .

中国专利 :CN214411135U ,2021-10-15

[5]

半导体工艺设备的反应腔室及半导体工艺设备 [P].

刘珊珊 ;

光娟亮 .

中国专利 :CN111725111A ,2020-09-29

[6]

半导体工艺设备的反应腔室及半导体工艺设备 [P].

朱海云 .

中国专利 :CN112458441B ,2021-03-09

[7]

半导体工艺腔室和半导体工艺设备 [P].

文莉辉 .

中国专利 :CN113437012A ,2021-09-24

[8]

半导体工艺腔室和半导体工艺设备 [P].

陈兆滨 .

中国专利 :CN114361000A ,2022-04-15

[9]

半导体工艺腔室和半导体工艺设备 [P].

王福金 ;

蔡志辉 .

中国专利 :CN216738518U ,2022-06-14

[10]

半导体工艺腔室和半导体工艺设备 [P].

于宸崎 .

中国专利 :CN221201076U ,2024-06-21

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