利用反梯形栅极结构形成轻掺杂漏极的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN02130543.9

申请日：

2002-08-14

公开(公告)号：

CN1265445C

公开(公告)日：

2004-02-18

发明(设计)人：

蔡孟锦金平中

申请人：

申请人地址：

201203上海市浦东新区张江高科技园区郭守敬路818号

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L2128

代理机构：

上海光华专利事务所

代理人：

余明伟

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2006-07-19	授权	授权
2004-02-18	公开	公开
2011-10-26	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101123312702 IPC(主分类):H01L 21/336 专利号:ZL021305439 申请日:20020814 授权公告日:20060719 终止日期:20100814
2004-09-08	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

利用侧壁聚合物栅极结构形成轻掺杂漏极的方法 [P].

蔡孟锦 ;

金平中 .

中国专利 :CN1259702C ,2004-02-18

[2]

形成轻掺杂漏极的方法 [P].

陈坤宏 .

中国专利 :CN1484286A ,2004-03-24

[3]

轻掺杂漏极的形成方法 [P].

刘兵武 ;

居建华 .

中国专利 :CN101770950B ,2010-07-07

[4]

轻掺杂漏形成方法及形成轻掺杂漏时应用的掩膜 [P].

令海洋 .

中国专利 :CN102117743A ,2011-07-06

[5]

形成源漏极的方法 [P].

唐兆云 .

中国专利 :CN102054696A ,2011-05-11

[6]

包含轻掺杂漏极结构的版图结构 [P].

杨杰 ;

李艳 ;

杨兆宇 ;

谢宝强 .

中国专利 :CN103178094B ,2013-06-26

[7]

栅极结构形成方法 [P].

罗飞 ;

邹立 .

中国专利 :CN102024691B ,2011-04-20

[8]

栅极结构形成方法 [P].

任晓辉 ;

奚裴 ;

齐龙茵 .

中国专利 :CN102148146A ,2011-08-10

[9]

栅极结构形成方法 [P].

刘争鸣 .

中国专利 :CN120614860A ,2025-09-09

[10]

轻掺杂漏极的形成方法和半导体器件 [P].

毛刚 ;

王家佳 .

中国专利 :CN101740517A ,2010-06-16

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