制造半导体装置的方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201180011339.6
申请日
2011-01-27
公开(公告)号
CN102763203A
公开(公告)日
2012-10-31
发明(设计)人
山崎舜平 肥塚纯一
申请人
申请人地址
日本神奈川县厚木市
IPC主分类号
H01L21336
IPC分类号
H01L29786
代理机构
中国专利代理(香港)有限公司 72001
代理人
周李军;李进
法律状态
公开
国省代码
引用
下载
收藏
共 50 条
[1]
制造半导体装置的方法 [P]. 
山崎舜平 ;
肥塚纯一 .
中国专利 :CN113540253A ,2021-10-22
[2]
制造半导体装置的方法 [P]. 
山崎舜平 ;
肥塚纯一 .
中国专利 :CN106340542A ,2017-01-18
[3]
半导体装置的制造方法 [P]. 
山崎舜平 .
中国专利 :CN102822980B ,2012-12-12
[4]
半导体装置的制造方法 [P]. 
山崎舜平 .
中国专利 :CN105304502A ,2016-02-03
[5]
半导体装置的制造方法 [P]. 
山崎舜平 ;
乡户宏充 .
中国专利 :CN102834921A ,2012-12-19
[6]
半导体装置的制造方法 [P]. 
山崎舜平 ;
乡户宏充 .
中国专利 :CN105789321B ,2016-07-20
[7]
半导体装置的制造方法及半导体装置 [P]. 
松室智纪 .
中国专利 :CN102105988A ,2011-06-22
[8]
半导体装置及半导体装置的制造方法 [P]. 
山崎舜平 .
中国专利 :CN107275411A ,2017-10-20
[9]
半导体装置及半导体装置的制造方法 [P]. 
山崎舜平 ;
宫入秀和 ;
村川努 ;
山田淳 ;
国武宽司 ;
太田将志 .
日本专利 :CN120958970A ,2025-11-14
[10]
半导体装置及半导体装置的制造方法 [P]. 
山崎舜平 ;
和久田真弘 ;
山出直人 ;
村川努 ;
国武宽司 ;
中山智则 .
日本专利 :CN121014275A ,2025-11-25