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制造半导体装置的方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201180011339.6
申请日
:
2011-01-27
公开(公告)号
:
CN102763203A
公开(公告)日
:
2012-10-31
发明(设计)人
:
山崎舜平
肥塚纯一
申请人
:
申请人地址
:
日本神奈川县厚木市
IPC主分类号
:
H01L21336
IPC分类号
:
H01L29786
代理机构
:
中国专利代理(香港)有限公司 72001
代理人
:
周李军;李进
法律状态
:
公开
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2012-10-31
公开
公开
2013-03-27
实质审查的生效
实质审查的生效 号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101422917554 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:2011800113396 申请日:20110127
2016-10-26
授权
授权
共 50 条
[1]
制造半导体装置的方法
[P].
山崎舜平
论文数:
0
引用数:
0
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0
山崎舜平
;
肥塚纯一
论文数:
0
引用数:
0
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0
肥塚纯一
.
中国专利
:CN113540253A
,2021-10-22
[2]
制造半导体装置的方法
[P].
山崎舜平
论文数:
0
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0
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0
山崎舜平
;
肥塚纯一
论文数:
0
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0
肥塚纯一
.
中国专利
:CN106340542A
,2017-01-18
[3]
半导体装置的制造方法
[P].
山崎舜平
论文数:
0
引用数:
0
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0
山崎舜平
.
中国专利
:CN102822980B
,2012-12-12
[4]
半导体装置的制造方法
[P].
山崎舜平
论文数:
0
引用数:
0
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0
山崎舜平
.
中国专利
:CN105304502A
,2016-02-03
[5]
半导体装置的制造方法
[P].
山崎舜平
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0
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0
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0
山崎舜平
;
乡户宏充
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0
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0
乡户宏充
.
中国专利
:CN102834921A
,2012-12-19
[6]
半导体装置的制造方法
[P].
山崎舜平
论文数:
0
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山崎舜平
;
乡户宏充
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0
乡户宏充
.
中国专利
:CN105789321B
,2016-07-20
[7]
半导体装置的制造方法及半导体装置
[P].
松室智纪
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0
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0
松室智纪
.
中国专利
:CN102105988A
,2011-06-22
[8]
半导体装置及半导体装置的制造方法
[P].
山崎舜平
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0
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0
山崎舜平
.
中国专利
:CN107275411A
,2017-10-20
[9]
半导体装置及半导体装置的制造方法
[P].
山崎舜平
论文数:
0
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0
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机构:
株式会社半导体能源研究所
株式会社半导体能源研究所
山崎舜平
;
宫入秀和
论文数:
0
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0
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机构:
株式会社半导体能源研究所
株式会社半导体能源研究所
宫入秀和
;
村川努
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0
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机构:
株式会社半导体能源研究所
株式会社半导体能源研究所
村川努
;
山田淳
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机构:
株式会社半导体能源研究所
株式会社半导体能源研究所
山田淳
;
国武宽司
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机构:
株式会社半导体能源研究所
株式会社半导体能源研究所
国武宽司
;
太田将志
论文数:
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0
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0
机构:
株式会社半导体能源研究所
株式会社半导体能源研究所
太田将志
.
日本专利
:CN120958970A
,2025-11-14
[10]
半导体装置及半导体装置的制造方法
[P].
山崎舜平
论文数:
0
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0
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机构:
株式会社半导体能源研究所
株式会社半导体能源研究所
山崎舜平
;
和久田真弘
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机构:
株式会社半导体能源研究所
株式会社半导体能源研究所
和久田真弘
;
山出直人
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机构:
株式会社半导体能源研究所
株式会社半导体能源研究所
山出直人
;
村川努
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机构:
株式会社半导体能源研究所
株式会社半导体能源研究所
村川努
;
国武宽司
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机构:
株式会社半导体能源研究所
株式会社半导体能源研究所
国武宽司
;
中山智则
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机构:
株式会社半导体能源研究所
株式会社半导体能源研究所
中山智则
.
日本专利
:CN121014275A
,2025-11-25
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