半导体装置及半导体装置的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202480023847.3

申请日：

2024-04-01

公开(公告)号：

CN121014275A

公开(公告)日：

2025-11-25

发明(设计)人：

山崎舜平和久田真弘山出直人村川努国武宽司中山智则

申请人：

株式会社半导体能源研究所

申请人地址：

日本神奈川县厚木市

IPC主分类号：

H10D30/67

IPC分类号：

H10D30/01 H10B10/00 H10B12/00 H10B41/70

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

童春媛;张华

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-11-25	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体装置的制造方法及半导体装置 [P].

松室智纪 .

中国专利 :CN102105988A ,2011-06-22

[2]

半导体装置及半导体装置的制造方法 [P].

山崎舜平 ;

村川努 ;

安藤善范 ;

掛端哲弥 ;

佐藤优一 ;

方堂凉太 .

中国专利 :CN113795928A ,2021-12-14

[3]

半导体装置及半导体装置的制造方法 [P].

山崎舜平 .

中国专利 :CN107275411A ,2017-10-20

[4]

半导体装置及半导体装置的制造方法 [P].

山崎舜平 ;

宫入秀和 ;

村川努 ;

山田淳 ;

国武宽司 ;

太田将志 .

日本专利 :CN120958970A ,2025-11-14

[5]

半导体装置及半导体装置的制造方法 [P].

仓田求 ;

方堂凉太 ;

远藤俊弥 ;

菊池秋广 ;

太田将志 ;

斋藤晓 ;

国武宽司 .

日本专利 :CN120958963A ,2025-11-14

[6]

半导体装置及半导体装置的制造方法 [P].

山崎舜平 .

中国专利 :CN110731013A ,2020-01-24

[7]

半导体装置及半导体装置的制造方法 [P].

山崎舜平 .

中国专利 :CN104465408A ,2015-03-25

[8]

半导体装置及半导体装置的制造方法 [P].

山崎舜平 ;

山出直人 ;

藤木宽士 ;

村川努 ;

竹内敏彦 .

中国专利 :CN110462803A ,2019-11-15

[9]

半导体装置及半导体装置的制造方法 [P].

山崎舜平 ;

栃林克明 ;

方堂凉太 ;

菅谷健太郎 ;

山出直人 .

日本专利 :CN111788698B ,2025-07-01

[10]

半导体装置及半导体装置的制造方法 [P].

方堂凉太 ;

远藤俊弥 ;

中野贤 ;

泽井宽美 ;

山崎舜平 .

日本专利 :CN118872402A ,2024-10-29

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