半导体装置及半导体装置的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202080032665.4

申请日：

2020-04-28

公开(公告)号：

CN113795928A

公开(公告)日：

2021-12-14

发明(设计)人：

山崎舜平村川努安藤善范掛端哲弥佐藤优一方堂凉太

申请人：

申请人地址：

日本神奈川

IPC主分类号：

H01L29786

IPC分类号：

H01L21336 H01L218239 H01L218242 H01L27105 H01L27108 H01L271156

代理机构：

中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038

代理人：

秦晨

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-12-14	公开	公开
2022-05-13	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/786 申请日:20200428

共 50 条

[1]

半导体装置以及半导体装置的制造方法 [P].

山崎舜平 ;

笹川慎也 ;

栃林克明 ;

村川努 ;

高桥绘里香 .

中国专利 :CN113196501A ,2021-07-30

[2]

半导体装置及半导体装置的制造方法 [P].

山崎舜平 ;

半田拓哉 ;

保坂泰靖 ;

三本菅正太 ;

山根靖正 ;

冈崎健一 .

中国专利 :CN111418073A ,2020-07-14

[3]

半导体装置及半导体装置的制造方法 [P].

山崎舜平 ;

和久田真弘 ;

山出直人 ;

村川努 ;

国武宽司 ;

中山智则 .

日本专利 :CN121014275A ,2025-11-25

[4]

半导体装置及半导体装置的制造方法 [P].

山崎舜平 .

中国专利 :CN110731013A ,2020-01-24

[5]

半导体装置及半导体装置的制造方法 [P].

山崎舜平 ;

栃林克明 ;

方堂凉太 ;

菅谷健太郎 ;

山出直人 .

日本专利 :CN111788698B ,2025-07-01

[6]

半导体装置及半导体装置的制造方法 [P].

方堂凉太 ;

远藤俊弥 ;

中野贤 ;

泽井宽美 ;

山崎舜平 .

日本专利 :CN118872402A ,2024-10-29

[7]

半导体装置及半导体装置的制造方法 [P].

山崎舜平 ;

栃林克明 ;

方堂凉太 ;

菅谷健太郎 ;

山出直人 .

中国专利 :CN111788698A ,2020-10-16

[8]

半导体装置及半导体装置的制造方法 [P].

柳泽悠一 ;

竹内敏彦 ;

泽井宽美 .

日本专利 :CN121241677A ,2025-12-30

[9]

半导体装置及半导体装置的制造方法 [P].

山崎舜平 ;

栃林克明 ;

方堂凉太 ;

菅谷健太郎 ;

山出直人 .

日本专利 :CN120583708A ,2025-09-02

[10]

半导体装置及半导体装置的制造方法 [P].

山崎舜平 ;

松林大介 ;

加藤清 ;

栃林克明 ;

长塚修平 .

中国专利 :CN110506328A ,2019-11-26

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