半导体装置及半导体装置的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202480028692.2

申请日：

2024-04-22

公开(公告)号：

CN121241677A

公开(公告)日：

2025-12-30

发明(设计)人：

柳泽悠一竹内敏彦泽井宽美

申请人：

株式会社半导体能源研究所

申请人地址：

日本神奈川县厚木市

IPC主分类号：

H10D30/67

IPC分类号：

H01L21/316 H01L21/318 H10D30/01 H01L21/768 H10K50/84 H10K59/12 H10K59/124 H10K59/131 H10K71/16 H10K71/30 H10K71/40

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

童春媛;蔡晓菡

法律状态：

公开

国省代码：

引用

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共 50 条

[1]

半导体装置及半导体装置的制造方法 [P].

山崎舜平 ;

村川努 ;

安藤善范 ;

掛端哲弥 ;

佐藤优一 ;

方堂凉太 .

中国专利 :CN113795928A ,2021-12-14

[2]

半导体装置及半导体装置的制造方法 [P].

山崎舜平 ;

半田拓哉 ;

保坂泰靖 ;

三本菅正太 ;

山根靖正 ;

冈崎健一 .

中国专利 :CN111418073A ,2020-07-14

[3]

半导体装置及半导体装置的制造方法 [P].

山崎舜平 ;

和久田真弘 ;

山出直人 ;

村川努 ;

国武宽司 ;

中山智则 .

日本专利 :CN121014275A ,2025-11-25

[4]

半导体装置及半导体装置的制造方法 [P].

山崎舜平 ;

山出直人 ;

藤木宽士 ;

村川努 ;

竹内敏彦 .

中国专利 :CN110462803A ,2019-11-15

[5]

半导体装置及半导体装置的制造方法 [P].

方堂凉太 ;

远藤俊弥 ;

中野贤 ;

泽井宽美 ;

山崎舜平 .

日本专利 :CN118872402A ,2024-10-29

[6]

半导体装置及半导体装置的制造方法 [P].

田丸尊也 ;

津吹将志 ;

渡壁创 ;

佐佐木俊成 .

日本专利 :CN119343997A ,2025-01-21

[7]

半导体装置及半导体装置的制造方法 [P].

望月真里奈 ;

渡部将弘 ;

津吹将志 ;

渡壁创 ;

佐佐木俊成 ;

田丸尊也 ;

小野寺凉 .

中国专利 :CN118738138A ,2024-10-01

[8]

半导体装置的制造方法及半导体装置 [P].

小林忠正 ;

座间秀昭 .

中国专利 :CN109891559A ,2019-06-14

[9]

半导体装置、半导体装置的制造方法 [P].

方堂凉太 ;

斋藤晓 ;

国武宽司 ;

山崎舜平 ;

和久田真弘 ;

滨田俊树 .

日本专利 :CN118318309A ,2024-07-09

[10]

半导体装置和半导体装置的制造方法 [P].

内山博幸 ;

藤崎寿美子 ;

森塚翼 .

中国专利 :CN107026208B ,2017-08-08

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法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-12-30	公开	公开