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半导体装置及半导体装置的制造方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201880020208.6
申请日
:
2018-03-20
公开(公告)号
:
CN110462803A
公开(公告)日
:
2019-11-15
发明(设计)人
:
山崎舜平
山出直人
藤木宽士
村川努
竹内敏彦
申请人
:
申请人地址
:
日本神奈川县
IPC主分类号
:
H01L21336
IPC分类号
:
H01L218242
H01L27108
H01L29786
H03K19177
代理机构
:
上海专利商标事务所有限公司 31100
代理人
:
宋俊寅
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
引用
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2020-04-24
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/336 申请日:20180320
2019-11-15
公开
公开
共 50 条
[1]
半导体装置及半导体装置的制造方法
[P].
山崎舜平
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
株式会社半导体能源研究所
株式会社半导体能源研究所
山崎舜平
;
和久田真弘
论文数:
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机构:
株式会社半导体能源研究所
株式会社半导体能源研究所
和久田真弘
;
山出直人
论文数:
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0
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0
机构:
株式会社半导体能源研究所
株式会社半导体能源研究所
山出直人
;
村川努
论文数:
0
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0
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0
机构:
株式会社半导体能源研究所
株式会社半导体能源研究所
村川努
;
国武宽司
论文数:
0
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0
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0
机构:
株式会社半导体能源研究所
株式会社半导体能源研究所
国武宽司
;
中山智则
论文数:
0
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0
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0
机构:
株式会社半导体能源研究所
株式会社半导体能源研究所
中山智则
.
日本专利
:CN121014275A
,2025-11-25
[2]
半导体装置及半导体装置的制造方法
[P].
柳泽悠一
论文数:
0
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0
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0
机构:
株式会社半导体能源研究所
株式会社半导体能源研究所
柳泽悠一
;
竹内敏彦
论文数:
0
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0
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0
机构:
株式会社半导体能源研究所
株式会社半导体能源研究所
竹内敏彦
;
泽井宽美
论文数:
0
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0
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0
机构:
株式会社半导体能源研究所
株式会社半导体能源研究所
泽井宽美
.
日本专利
:CN121241677A
,2025-12-30
[3]
半导体装置的制造方法及半导体装置
[P].
小林忠正
论文数:
0
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0
小林忠正
;
座间秀昭
论文数:
0
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0
座间秀昭
.
中国专利
:CN109891559A
,2019-06-14
[4]
半导体装置的制造方法及半导体装置
[P].
松室智纪
论文数:
0
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松室智纪
.
中国专利
:CN102105988A
,2011-06-22
[5]
半导体装置及半导体装置的制造方法
[P].
山崎舜平
论文数:
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山崎舜平
;
泽井宽美
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泽井宽美
;
德丸亮
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德丸亮
;
竹内敏彦
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竹内敏彦
;
村川努
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村川努
;
永松翔
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永松翔
;
森若智昭
论文数:
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森若智昭
.
中国专利
:CN111448669A
,2020-07-24
[6]
半导体装置及半导体装置的制造方法
[P].
山崎舜平
论文数:
0
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0
山崎舜平
;
村川努
论文数:
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村川努
;
安藤善范
论文数:
0
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安藤善范
;
掛端哲弥
论文数:
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掛端哲弥
;
佐藤优一
论文数:
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佐藤优一
;
方堂凉太
论文数:
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方堂凉太
.
中国专利
:CN113795928A
,2021-12-14
[7]
半导体装置及半导体装置的制造方法
[P].
汤田洋平
论文数:
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汤田洋平
;
绵引达郎
论文数:
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0
绵引达郎
.
中国专利
:CN109478571A
,2019-03-15
[8]
半导体装置及半导体装置的制造方法
[P].
山崎舜平
论文数:
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0
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0
山崎舜平
.
中国专利
:CN107275411A
,2017-10-20
[9]
半导体装置及半导体装置的制造方法
[P].
山崎舜平
论文数:
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0
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0
山崎舜平
;
半田拓哉
论文数:
0
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半田拓哉
;
保坂泰靖
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保坂泰靖
;
三本菅正太
论文数:
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三本菅正太
;
山根靖正
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山根靖正
;
冈崎健一
论文数:
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0
冈崎健一
.
中国专利
:CN111418073A
,2020-07-14
[10]
半导体装置及半导体装置的制造方法
[P].
山崎舜平
论文数:
0
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机构:
株式会社半导体能源研究所
株式会社半导体能源研究所
山崎舜平
;
宫入秀和
论文数:
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机构:
株式会社半导体能源研究所
株式会社半导体能源研究所
宫入秀和
;
村川努
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机构:
株式会社半导体能源研究所
株式会社半导体能源研究所
村川努
;
山田淳
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机构:
株式会社半导体能源研究所
株式会社半导体能源研究所
山田淳
;
国武宽司
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机构:
株式会社半导体能源研究所
株式会社半导体能源研究所
国武宽司
;
太田将志
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
株式会社半导体能源研究所
株式会社半导体能源研究所
太田将志
.
日本专利
:CN120958970A
,2025-11-14
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