半导体装置及半导体装置的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201880079057.1

申请日：

2018-11-26

公开(公告)号：

CN111448669A

公开(公告)日：

2020-07-24

发明(设计)人：

山崎舜平泽井宽美德丸亮竹内敏彦村川努永松翔森若智昭

申请人：

申请人地址：

日本神奈川县厚木市

IPC主分类号：

H01L29786

IPC分类号：

H01L2128 H01L21336 H01L218242 H01L27108 H01L2711551 H01L271156 H01L29417 H01L29423 H01L2949 H01L29788 H01L29792

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

张桂霞;李志强

法律状态：

公开

国省代码：

引用

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共 50 条

[1]

半导体装置及半导体装置的制造方法 [P].

山崎舜平 ;

村川努 ;

安藤善范 ;

掛端哲弥 ;

佐藤优一 ;

方堂凉太 .

中国专利 :CN113795928A ,2021-12-14

[2]

半导体装置及半导体装置的制造方法 [P].

山崎舜平 ;

半田拓哉 ;

保坂泰靖 ;

三本菅正太 ;

山根靖正 ;

冈崎健一 .

中国专利 :CN111418073A ,2020-07-14

[3]

半导体装置及半导体装置的制造方法 [P].

山崎舜平 ;

冈崎健一 ;

及川欣聪 .

日本专利 :CN118352399A ,2024-07-16

[4]

半导体装置及半导体装置的制造方法 [P].

山崎舜平 ;

乡户宏充 .

中国专利 :CN110718557A ,2020-01-21

[5]

半导体装置及半导体装置的制造方法 [P].

山崎舜平 ;

和久田真弘 ;

山出直人 ;

村川努 ;

国武宽司 ;

中山智则 .

日本专利 :CN121014275A ,2025-11-25

[6]

半导体装置及半导体装置的制造方法 [P].

山崎舜平 ;

竹内敏彦 ;

山出直人 ;

藤木宽士 ;

森若智昭 ;

木村俊介 .

中国专利 :CN110678989A ,2020-01-10

[7]

半导体装置及半导体装置的制造方法 [P].

山崎舜平 ;

笹川慎也 ;

方堂凉太 ;

森若智昭 .

中国专利 :CN114930547A ,2022-08-19

[8]

半导体装置及半导体装置的制造方法 [P].

山崎舜平 ;

松林大介 ;

浅见良信 .

日本专利 :CN110998808B ,2024-04-30

[9]

半导体装置及半导体装置的制造方法 [P].

山崎舜平 .

中国专利 :CN110731013A ,2020-01-24

[10]

半导体装置及半导体装置的制造方法 [P].

山崎舜平 ;

竹内敏彦 ;

山出直人 ;

藤木宽士 ;

森若智昭 ;

木村俊介 .

日本专利 :CN110678989B ,2024-02-13

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法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-07-24	公开	公开
2020-12-11	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/786 申请日:20181126