半导体装置及半导体装置的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201880016444.0

申请日：

2018-02-28

公开(公告)号：

CN110678989B

公开(公告)日：

2024-02-13

发明(设计)人：

山崎舜平竹内敏彦山出直人藤木宽士森若智昭木村俊介

申请人：

株式会社半导体能源研究所

申请人地址：

日本神奈川县厚木市

IPC主分类号：

H01L29/786

IPC分类号：

H01L21/28 H10B12/00

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

张桂霞;李志强

法律状态：

授权

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-02-13	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体装置及半导体装置的制造方法 [P].

山崎舜平 ;

泽井宽美 ;

德丸亮 ;

竹内敏彦 ;

村川努 ;

永松翔 ;

森若智昭 .

中国专利 :CN111448669A ,2020-07-24

[2]

半导体装置及半导体装置的制造方法 [P].

山崎舜平 ;

村川努 ;

安藤善范 ;

掛端哲弥 ;

佐藤优一 ;

方堂凉太 .

中国专利 :CN113795928A ,2021-12-14

[3]

半导体装置及半导体装置的制造方法 [P].

山崎舜平 ;

半田拓哉 ;

保坂泰靖 ;

三本菅正太 ;

山根靖正 ;

冈崎健一 .

中国专利 :CN111418073A ,2020-07-14

[4]

半导体装置及半导体装置的制造方法 [P].

山崎舜平 ;

冈崎健一 ;

及川欣聪 .

日本专利 :CN118352399A ,2024-07-16

[5]

半导体装置及半导体装置的制造方法 [P].

山崎舜平 ;

和久田真弘 ;

山出直人 ;

村川努 ;

国武宽司 ;

中山智则 .

日本专利 :CN121014275A ,2025-11-25

[6]

半导体装置及半导体装置的制造方法 [P].

山崎舜平 ;

竹内敏彦 ;

山出直人 ;

藤木宽士 ;

森若智昭 ;

木村俊介 .

中国专利 :CN110678989A ,2020-01-10

[7]

半导体装置及半导体装置的制造方法 [P].

山崎舜平 ;

笹川慎也 ;

方堂凉太 ;

森若智昭 .

中国专利 :CN114930547A ,2022-08-19

[8]

半导体装置及半导体装置的制造方法 [P].

山崎舜平 ;

松林大介 ;

浅见良信 .

日本专利 :CN110998808B ,2024-04-30

[9]

半导体装置及半导体装置的制造方法 [P].

山崎舜平 .

中国专利 :CN110731013A ,2020-01-24

[10]

半导体装置及半导体装置的制造方法 [P].

柳泽悠一 ;

方堂凉太 ;

冈本悟 .

日本专利 :CN113491006B ,2025-09-23

← 1 2 3 4 5 →