半导体装置及半导体装置的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410460858.X

申请日：

2019-01-15

公开(公告)号：

CN118352399A

公开(公告)日：

2024-07-16

发明(设计)人：

山崎舜平冈崎健一及川欣聪

申请人：

株式会社半导体能源研究所

申请人地址：

日本神奈川县厚木市

IPC主分类号：

H01L29/786

IPC分类号：

H01L21/34

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

张桂霞;彭昶

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-08-02	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 29/786申请日:20190115
2024-07-16	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体装置及半导体装置的制造方法 [P].

山崎舜平 ;

冈崎健一 ;

及川欣聪 .

中国专利 :CN111656531A ,2020-09-11

[2]

半导体装置及半导体装置的制造方法 [P].

山崎舜平 ;

藤井照幸 ;

石塚章广 ;

平石铃之介 ;

高桥俊辅 ;

永松翔 ;

八塚昇大 ;

山出直人 ;

栃林克明 .

中国专利 :CN111615743A ,2020-09-01

[3]

半导体装置及半导体装置的制造方法 [P].

山崎舜平 ;

冈崎健一 ;

及川欣聪 .

中国专利 :CN111656530A ,2020-09-11

[4]

半导体装置及半导体装置的制造方法 [P].

畑勇气 ;

枥林克明 ;

菅尾惇平 ;

山崎舜平 .

中国专利 :CN111788696A ,2020-10-16

[5]

半导体装置及半导体装置的制造方法 [P].

山崎舜平 ;

冈崎健一 ;

及川欣聪 .

日本专利 :CN111656531B ,2024-05-28

[6]

半导体装置及半导体装置的制造方法 [P].

畑勇气 ;

枥林克明 ;

菅尾惇平 ;

山崎舜平 .

日本专利 :CN111788696B ,2025-04-15

[7]

半导体装置以及半导体装置的制造方法 [P].

山崎舜平 ;

栃林克明 ;

方堂凉太 .

中国专利 :CN111742414A ,2020-10-02

[8]

半导体装置以及半导体装置的制造方法 [P].

山崎舜平 ;

马场晴之 ;

村山史织 .

日本专利 :CN111771287B ,2024-08-23

[9]

半导体装置以及半导体装置的制造方法 [P].

山崎舜平 ;

平松智记 ;

本田龙之介 .

中国专利 :CN110088913A ,2019-08-02

[10]

半导体装置以及半导体装置的制造方法 [P].

山崎舜平 ;

马场晴之 ;

村山史织 .

中国专利 :CN111771287A ,2020-10-13

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