半导体装置的制造方法及半导体装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201880004039.7

申请日：

2018-08-17

公开(公告)号：

CN109891559A

公开(公告)日：

2019-06-14

发明(设计)人：

小林忠正座间秀昭

申请人：

申请人地址：

日本国神奈川县茅崎市萩园2500番地

IPC主分类号：

H01L21316

IPC分类号：

C23C1408 C23C1642 H01L2131 H01L21336 H01L21363 H01L29786

代理机构：

上海和跃知识产权代理事务所(普通合伙) 31239

代理人：

余文娟

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-07-09	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/316 申请日:20180817
2019-06-14	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体装置及半导体装置的制造方法 [P].

山崎舜平 ;

和久田真弘 ;

山出直人 ;

村川努 ;

国武宽司 ;

中山智则 .

日本专利 :CN121014275A ,2025-11-25

[2]

半导体装置及半导体装置的制造方法 [P].

山崎舜平 ;

山出直人 ;

藤木宽士 ;

村川努 ;

竹内敏彦 .

中国专利 :CN110462803A ,2019-11-15

[3]

半导体装置及半导体装置的制造方法 [P].

松原佑典 ;

冲川满 ;

安藤裕之 ;

四户孝 .

日本专利 :CN119522636A ,2025-02-25

[4]

半导体装置及半导体装置的制造方法 [P].

柳泽悠一 ;

竹内敏彦 ;

泽井宽美 .

日本专利 :CN121241677A ,2025-12-30

[5]

半导体装置及半导体装置的制造方法 [P].

松原佑典 ;

冲川满 ;

安藤裕之 ;

四户孝 .

日本专利 :CN119487988A ,2025-02-18

[6]

半导体装置及半导体装置的制造方法 [P].

坂田淳一郎 ;

广桥拓也 ;

岸田英幸 .

中国专利 :CN105140292A ,2015-12-09

[7]

半导体装置及半导体装置的制造方法 [P].

山崎舜平 ;

宫入秀和 ;

宫永昭治 ;

秋元健吾 ;

白石康次郎 .

中国专利 :CN101645462A ,2010-02-10

[8]

半导体装置及半导体装置的制造方法 [P].

坂田淳一郎 ;

广桥拓也 ;

岸田英幸 .

中国专利 :CN101826558A ,2010-09-08

[9]

半导体装置以及半导体装置的制造方法 [P].

冈部达 ;

田中哲宪 ;

家根田刚士 .

中国专利 :CN110476255A ,2019-11-19

[10]

半导体装置以及半导体装置的制造方法 [P].

山崎舜平 ;

宫入秀和 ;

宫永昭治 ;

秋元健吾 ;

白石康次郎 .

中国专利 :CN102842585A ,2012-12-26

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