半导体装置及半导体装置的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202380045594.5

申请日：

2023-05-31

公开(公告)号：

CN119343997A

公开(公告)日：

2025-01-21

发明(设计)人：

田丸尊也津吹将志渡壁创佐佐木俊成

申请人：

株式会社日本显示器

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H10D30/67

IPC分类号：

H10D30/01

代理机构：

北京市金杜律师事务所 11256

代理人：

韩雪莲

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-07-08	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移IPC(主分类):H10D 30/67登记生效日:20250626变更事项:申请人变更前权利人:株式会社日本显示器变更后权利人:株式会社日本显示器变更事项:国家或地区变更前权利人:日本变更后权利人:日本变更事项:地址变更前权利人:日本东京都变更后权利人:日本东京都变更事项:申请人变更后权利人:出光兴产株式会社变更事项:国家或地区变更后权利人:日本
2025-01-21	公开	公开
2025-02-14	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 30/67申请日:20230531

共 50 条

[1]

半导体装置及半导体装置的制造方法 [P].

望月真里奈 ;

渡部将弘 ;

津吹将志 ;

渡壁创 ;

佐佐木俊成 ;

田丸尊也 ;

小野寺凉 .

中国专利 :CN118738138A ,2024-10-01

[2]

半导体装置及半导体装置的制造方法 [P].

黑崎大辅 ;

田边美和 ;

保本清治 ;

肥冢纯一 .

日本专利 :CN120323103A ,2025-07-15

[3]

半导体装置及半导体装置的制造方法 [P].

山崎舜平 ;

须泽英臣 ;

笹川慎也 ;

仓田求 ;

津吹将志 .

中国专利 :CN103681805B ,2014-03-26

[4]

半导体装置及半导体装置的制造方法 [P].

肥冢纯一 ;

冈崎健一 ;

岛行德 ;

中泽安孝 ;

保坂泰靖 ;

山崎舜平 .

日本专利 :CN118748210A ,2024-10-08

[5]

半导体装置及半导体装置的制造方法 [P].

肥冢纯一 ;

冈崎健一 ;

岛行德 ;

中泽安孝 ;

保坂泰靖 ;

山崎舜平 .

中国专利 :CN108538916A ,2018-09-14

[6]

半导体装置及半导体装置的制造方法 [P].

山崎舜平 ;

须泽英臣 ;

笹川慎也 ;

仓田求 ;

津吹将志 .

中国专利 :CN108962998A ,2018-12-07

[7]

半导体装置、显示装置及半导体装置的制造方法 [P].

渡部将弘 ;

渡壁创 ;

津吹将志 ;

佐佐木俊成 ;

望月真里奈 ;

田丸尊也 ;

小野寺凉 .

中国专利 :CN118738136A ,2024-10-01

[8]

半导体装置及半导体装置的制造方法 [P].

山崎舜平 ;

乡户宏充 .

中国专利 :CN110718557A ,2020-01-21

[9]

半导体装置及半导体装置的制造方法 [P].

林俊成 .

中国专利 :CN101840863A ,2010-09-22

[10]

半导体装置及半导体装置的制造方法 [P].

岛行德 ;

冈崎健一 .

中国专利 :CN115362561A ,2022-11-18

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