半导体装置及半导体装置的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201811169461.6

申请日：

2013-09-13

公开(公告)号：

CN108962998A

公开(公告)日：

2018-12-07

发明(设计)人：

山崎舜平须泽英臣笹川慎也仓田求津吹将志

申请人：

申请人地址：

日本神奈川县

IPC主分类号：

H01L29786

IPC分类号：

代理机构：

上海专利商标事务所有限公司 31100

代理人：

侯颖媖;钱慰民

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-12-07	公开	公开
2019-01-01	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/786 申请日:20130913

共 50 条

[1]

半导体装置及半导体装置的制造方法 [P].

山崎舜平 ;

须泽英臣 ;

笹川慎也 ;

仓田求 ;

津吹将志 .

中国专利 :CN103681805B ,2014-03-26

[2]

半导体装置及半导体装置的制造方法 [P].

黑崎大辅 ;

田边美和 ;

保本清治 ;

肥冢纯一 .

日本专利 :CN120323103A ,2025-07-15

[3]

半导体装置及半导体装置的制造方法 [P].

田丸尊也 ;

津吹将志 ;

渡壁创 ;

佐佐木俊成 .

日本专利 :CN119343997A ,2025-01-21

[4]

半导体装置及制造半导体装置的方法 [P].

山崎舜平 ;

坂田淳一郎 ;

细羽幸 ;

高桥辰也 .

中国专利 :CN101997007A ,2011-03-30

[5]

半导体装置及半导体装置的制造方法 [P].

望月真里奈 ;

渡部将弘 ;

津吹将志 ;

渡壁创 ;

佐佐木俊成 ;

田丸尊也 ;

小野寺凉 .

中国专利 :CN118738138A ,2024-10-01

[6]

半导体装置及制造半导体装置的方法 [P].

山崎舜平 ;

坂田淳一郎 ;

细羽幸 ;

高桥辰也 .

中国专利 :CN104882473A ,2015-09-02

[7]

半导体装置及半导体装置的制造方法 [P].

山崎舜平 .

中国专利 :CN107275411A ,2017-10-20

[8]

半导体装置及半导体装置的制造方法 [P].

山崎舜平 ;

乡户宏充 .

中国专利 :CN110718557A ,2020-01-21

[9]

半导体装置及半导体装置的制造方法 [P].

岛行德 ;

冈崎健一 .

中国专利 :CN115362561A ,2022-11-18

[10]

半导体装置及半导体装置的制造方法 [P].

山崎舜平 ;

早川昌彦 ;

本田达也 .

中国专利 :CN103066112B ,2013-04-24

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