半导体装置及半导体装置的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202380083759.8

申请日：

2023-12-18

公开(公告)号：

CN120323103A

公开(公告)日：

2025-07-15

发明(设计)人：

黑崎大辅田边美和保本清治肥冢纯一

申请人：

株式会社半导体能源研究所

申请人地址：

日本神奈川县厚木市

IPC主分类号：

H10D30/67

IPC分类号：

G09F9/30 H10D30/01 H10D84/01 H10D84/03 H10D84/83 H10D84/80 H10F39/12 H05B33/14 H10K39/32 H10K39/34 H10K50/10 H10K59/12 H10K59/123 H10K59/124 H10K71/00 H10K71/60

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

何欣亭;刘春元

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

共 50 条

[1]

半导体装置及半导体装置的制造方法 [P].

田丸尊也 ;

津吹将志 ;

渡壁创 ;

佐佐木俊成 .

日本专利 :CN119343997A ,2025-01-21

[2]

半导体装置及半导体装置的制造方法 [P].

望月真里奈 ;

渡部将弘 ;

津吹将志 ;

渡壁创 ;

佐佐木俊成 ;

田丸尊也 ;

小野寺凉 .

中国专利 :CN118738138A ,2024-10-01

[3]

半导体装置及半导体装置的制造方法 [P].

岛行德 ;

冈崎健一 .

中国专利 :CN115362561A ,2022-11-18

[4]

半导体装置及半导体装置的制造方法 [P].

山崎舜平 ;

须泽英臣 ;

笹川慎也 ;

仓田求 ;

津吹将志 .

中国专利 :CN103681805B ,2014-03-26

[5]

半导体装置及半导体装置的制造方法 [P].

肥冢纯一 ;

冈崎健一 ;

岛行德 ;

中泽安孝 ;

保坂泰靖 ;

山崎舜平 .

日本专利 :CN118748210A ,2024-10-08

[6]

半导体装置及半导体装置的制造方法 [P].

岛行德 ;

冈崎健一 .

日本专利 :CN117878159A ,2024-04-12

[7]

半导体装置及半导体装置的制造方法 [P].

肥冢纯一 ;

冈崎健一 ;

岛行德 ;

中泽安孝 ;

保坂泰靖 ;

山崎舜平 .

中国专利 :CN108538916A ,2018-09-14

[8]

半导体装置及半导体装置的制造方法 [P].

山崎舜平 ;

须泽英臣 ;

笹川慎也 ;

仓田求 ;

津吹将志 .

中国专利 :CN108962998A ,2018-12-07

[9]

半导体装置、存储装置及半导体装置的制造方法 [P].

山崎舜平 ;

井坂史人 ;

佐藤优一 ;

大野敏和 ;

国武宽司 ;

村川努 .

日本专利 :CN119031706A ,2024-11-26

[10]

半导体装置及半导体装置的制造方法 [P].

林俊成 .

中国专利 :CN101840863A ,2010-09-22

← 1 2 3 4 5 →

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-07-15	公开	公开