半导体装置、存储装置及半导体装置的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410637530.0

申请日：

2024-05-22

公开(公告)号：

CN119031706A

公开(公告)日：

2024-11-26

发明(设计)人：

山崎舜平井坂史人佐藤优一大野敏和国武宽司村川努

申请人：

株式会社半导体能源研究所

申请人地址：

日本神奈川县厚木市

IPC主分类号：

H10B12/00

IPC分类号：

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

李啸;陈岚

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-11-26	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体装置及半导体装置的制造方法 [P].

黑崎大辅 ;

田边美和 ;

保本清治 ;

肥冢纯一 .

日本专利 :CN120323103A ,2025-07-15

[2]

半导体装置及半导体存储装置 [P].

服部繁树 ;

上田知正 ;

池田圭司 .

中国专利 :CN113257923A ,2021-08-13

[3]

半导体装置、存储装置及半导体装置的制造方法 [P].

根井孝征 ;

村川努 ;

竹内敏彦 ;

菅谷健太郎 .

日本专利 :CN119421415A ,2025-02-11

[4]

半导体装置、存储装置及半导体装置的制造方法 [P].

山崎舜平 ;

方堂凉太 ;

大贯达也 ;

加藤清 .

日本专利 :CN118402329A ,2024-07-26

[5]

半导体装置及存储装置 [P].

山崎舜平 ;

筒井一寻 ;

松田慎平 .

中国专利 :CN107004717A ,2017-08-01

[6]

半导体装置、半导体存储装置及半导体装置的制造方法 [P].

原田朋纪 ;

三鬼悠辅 ;

上远野一広 ;

武藤祐辅 ;

畑野二郎 ;

芹泽百合香 ;

侧瀬聡文 .

日本专利 :CN120692839A ,2025-09-23

[7]

半导体装置及半导体装置的制造方法 [P].

岛行德 ;

冈崎健一 .

中国专利 :CN115362561A ,2022-11-18

[8]

半导体装置及半导体装置的制造方法 [P].

山崎舜平 ;

须泽英臣 ;

笹川慎也 ;

仓田求 ;

津吹将志 .

中国专利 :CN103681805B ,2014-03-26

[9]

半导体装置及半导体装置的制造方法 [P].

岛行德 ;

冈崎健一 .

日本专利 :CN117878159A ,2024-04-12

[10]

半导体装置及半导体装置的制造方法 [P].

须泽英臣 ;

菊池秋广 .

日本专利 :CN120917895A ,2025-11-07

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