半导体装置及半导体装置的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410756119.5

申请日：

2018-03-02

公开(公告)号：

CN118748210A

公开(公告)日：

2024-10-08

发明(设计)人：

肥冢纯一冈崎健一岛行德中泽安孝保坂泰靖山崎舜平

申请人：

株式会社半导体能源研究所

申请人地址：

日本

IPC主分类号：

H01L29/786

IPC分类号：

H01L29/51 H01L21/34

代理机构：

中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038

代理人：

申发振

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-10-25	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 29/786申请日:20180302
2024-10-08	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体装置及半导体装置的制造方法 [P].

肥冢纯一 ;

冈崎健一 ;

岛行德 ;

中泽安孝 ;

保坂泰靖 ;

山崎舜平 .

中国专利 :CN108538916A ,2018-09-14

[2]

半导体装置及半导体装置的制造方法 [P].

黑崎大辅 ;

田边美和 ;

保本清治 ;

肥冢纯一 .

日本专利 :CN120323103A ,2025-07-15

[3]

半导体装置及半导体装置的制造方法 [P].

田丸尊也 ;

津吹将志 ;

渡壁创 ;

佐佐木俊成 .

日本专利 :CN119343997A ,2025-01-21

[4]

半导体装置及半导体装置的制造方法 [P].

望月真里奈 ;

渡部将弘 ;

津吹将志 ;

渡壁创 ;

佐佐木俊成 ;

田丸尊也 ;

小野寺凉 .

中国专利 :CN118738138A ,2024-10-01

[5]

半导体装置及半导体装置的制造方法 [P].

林俊成 .

中国专利 :CN101840863A ,2010-09-22

[6]

半导体装置及半导体装置的制造方法 [P].

岛行德 ;

冈崎健一 .

中国专利 :CN115362561A ,2022-11-18

[7]

半导体装置及半导体装置的制造方法 [P].

山崎舜平 ;

须泽英臣 ;

笹川慎也 ;

仓田求 ;

津吹将志 .

中国专利 :CN103681805B ,2014-03-26

[8]

半导体装置及半导体装置的制造方法 [P].

岛行德 ;

冈崎健一 .

日本专利 :CN117878159A ,2024-04-12

[9]

半导体装置及半导体装置的制造方法 [P].

山崎舜平 ;

须泽英臣 ;

笹川慎也 ;

仓田求 ;

津吹将志 .

中国专利 :CN108962998A ,2018-12-07

[10]

半导体装置及半导体装置的制造方法 [P].

山田高宽 ;

中村茉里香 ;

伊藤正尚 ;

泷口雄贵 .

日本专利 :CN117461141A ,2024-01-26

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