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基于全波段减反的单晶硅表面复合微结构及其制备方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201910051249.8
申请日
:
2019-01-21
公开(公告)号
:
CN109853044B
公开(公告)日
:
2019-06-07
发明(设计)人
:
杨理理
李铖
申请人
:
申请人地址
:
210016 江苏省南京市秦淮区御道街29号
IPC主分类号
:
C30B3312
IPC分类号
:
C30B3310
C30B2906
C23C1435
C23C1410
C23C1408
H01L310236
H01L3118
B82Y4000
代理机构
:
南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249
代理人
:
陈国强
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2019-07-02
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 33/12 申请日:20190121
2019-06-07
公开
公开
2021-06-15
授权
授权
共 50 条
[1]
一种对单晶硅表面进行微结构化的方法
[P].
徐琛
论文数:
0
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0
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0
徐琛
.
中国专利
:CN102277623B
,2011-12-14
[2]
一种单晶硅表面蜂巢状结构及其制备方法
[P].
蒲天
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蒲天
;
吴兢
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吴兢
;
杜欢
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杜欢
;
王兰芳
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王兰芳
;
赵兴国
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赵兴国
.
中国专利
:CN106997915A
,2017-08-01
[3]
单晶硅片的制绒方法、单晶硅太阳能电池及其制备方法
[P].
王丹丹
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王丹丹
;
陈家健
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陈家健
;
倪秀财
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倪秀财
;
梁杭伟
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梁杭伟
;
吴含封
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吴含封
;
杨健
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杨健
.
中国专利
:CN111969078B
,2020-11-20
[4]
单晶硅电池及其制备方法
[P].
胥俊东
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胥俊东
.
中国专利
:CN111200039A
,2020-05-26
[5]
一种单晶硅绒面结构的制备方法
[P].
肖青平
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肖青平
.
中国专利
:CN102234845A
,2011-11-09
[6]
基于化学刻蚀的单晶硅表面结构及其制备及应用
[P].
单以洪
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单以洪
;
冯仕猛
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冯仕猛
;
雷刚
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雷刚
;
鞠雪梅
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鞠雪梅
.
中国专利
:CN103643289B
,2014-03-19
[7]
一种单晶硅太阳能电池减反钝化膜的制备方法
[P].
姜礼华
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姜礼华
;
谭新玉
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谭新玉
;
肖婷
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肖婷
;
向鹏
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向鹏
.
中国专利
:CN107863394B
,2018-03-30
[8]
单晶硅薄膜的制备方法
[P].
范多旺
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范多旺
;
王成龙
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王成龙
;
范多进
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范多进
;
令晓明
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令晓明
;
赵琳
论文数:
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0
赵琳
.
中国专利
:CN100585030C
,2008-07-23
[9]
单晶硅太阳能电池的表面结构及其制作方法
[P].
莫春东
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莫春东
;
李仲明
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李仲明
;
张瑶
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张瑶
;
何少琪
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何少琪
;
李海滨
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李海滨
.
中国专利
:CN1507075A
,2004-06-23
[10]
单晶硅的制备方法和单晶硅
[P].
张玲玲
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机构:
江苏协鑫硅材料科技发展有限公司
江苏协鑫硅材料科技发展有限公司
张玲玲
;
张华利
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机构:
江苏协鑫硅材料科技发展有限公司
江苏协鑫硅材料科技发展有限公司
张华利
;
周声浪
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机构:
江苏协鑫硅材料科技发展有限公司
江苏协鑫硅材料科技发展有限公司
周声浪
;
陈宗霆
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机构:
江苏协鑫硅材料科技发展有限公司
江苏协鑫硅材料科技发展有限公司
陈宗霆
;
宋亚飞
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机构:
江苏协鑫硅材料科技发展有限公司
江苏协鑫硅材料科技发展有限公司
宋亚飞
;
周洁
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机构:
江苏协鑫硅材料科技发展有限公司
江苏协鑫硅材料科技发展有限公司
周洁
.
中国专利
:CN119753819A
,2025-04-04
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