基于全波段减反的单晶硅表面复合微结构及其制备方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201910051249.8
申请日
2019-01-21
公开(公告)号
CN109853044B
公开(公告)日
2019-06-07
发明(设计)人
杨理理 李铖
申请人
申请人地址
210016 江苏省南京市秦淮区御道街29号
IPC主分类号
C30B3312
IPC分类号
C30B3310 C30B2906 C23C1435 C23C1410 C23C1408 H01L310236 H01L3118 B82Y4000
代理机构
南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249
代理人
陈国强
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
一种对单晶硅表面进行微结构化的方法 [P]. 
徐琛 .
中国专利 :CN102277623B ,2011-12-14
[2]
一种单晶硅表面蜂巢状结构及其制备方法 [P]. 
蒲天 ;
吴兢 ;
杜欢 ;
王兰芳 ;
赵兴国 .
中国专利 :CN106997915A ,2017-08-01
[3]
单晶硅片的制绒方法、单晶硅太阳能电池及其制备方法 [P]. 
王丹丹 ;
陈家健 ;
倪秀财 ;
梁杭伟 ;
吴含封 ;
杨健 .
中国专利 :CN111969078B ,2020-11-20
[4]
单晶硅电池及其制备方法 [P]. 
胥俊东 .
中国专利 :CN111200039A ,2020-05-26
[5]
一种单晶硅绒面结构的制备方法 [P]. 
肖青平 .
中国专利 :CN102234845A ,2011-11-09
[6]
基于化学刻蚀的单晶硅表面结构及其制备及应用 [P]. 
单以洪 ;
冯仕猛 ;
雷刚 ;
鞠雪梅 .
中国专利 :CN103643289B ,2014-03-19
[7]
一种单晶硅太阳能电池减反钝化膜的制备方法 [P]. 
姜礼华 ;
谭新玉 ;
肖婷 ;
向鹏 .
中国专利 :CN107863394B ,2018-03-30
[8]
单晶硅薄膜的制备方法 [P]. 
范多旺 ;
王成龙 ;
范多进 ;
令晓明 ;
赵琳 .
中国专利 :CN100585030C ,2008-07-23
[9]
单晶硅太阳能电池的表面结构及其制作方法 [P]. 
莫春东 ;
李仲明 ;
张瑶 ;
何少琪 ;
李海滨 .
中国专利 :CN1507075A ,2004-06-23
[10]
单晶硅的制备方法和单晶硅 [P]. 
张玲玲 ;
张华利 ;
周声浪 ;
陈宗霆 ;
宋亚飞 ;
周洁 .
中国专利 :CN119753819A ,2025-04-04