半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201611031572.1

申请日：

2016-11-22

公开(公告)号：

CN107579109A

公开(公告)日：

2018-01-12

发明(设计)人：

周洛龙郑永均朴正熙李钟锡千大焕

申请人：

申请人地址：

韩国首尔

IPC主分类号：

H01L2906

IPC分类号：

H01L2916 H01L2966 H01L2978

代理机构：

北京康信知识产权代理有限责任公司 11240

代理人：

陈鹏;李静

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-01-12	公开	公开
2018-10-12	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/06 申请日:20161122
2021-12-24	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体器件及其制造方法 [P].

洪坰国 ;

千大焕 ;

李钟锡 ;

郑永均 ;

姜修槟 .

中国专利 :CN104733528A ,2015-06-24

[2]

半导体器件及其制造方法 [P].

千大焕 .

中国专利 :CN108615767A ,2018-10-02

[3]

半导体器件及其制造方法 [P].

千大焕 ;

郑永均 ;

周洛龙 ;

朴正熙 ;

李钟锡 .

中国专利 :CN107026203A ,2017-08-08

[4]

半导体器件及其制造方法 [P].

千大焕 ;

洪坰国 ;

李钟锡 ;

朴正熙 ;

郑永均 .

中国专利 :CN104752505B ,2015-07-01

[5]

半导体器件及制造半导体器件的方法 [P].

千大焕 ;

李钟锡 ;

朴正熙 ;

洪坰国 ;

郑永均 .

中国专利 :CN105702731A ,2016-06-22

[6]

半导体器件及其制造方法 [P].

千大焕 ;

郑永均 ;

周洛龙 ;

朴正熙 ;

李钟锡 .

中国专利 :CN106876390A ,2017-06-20

[7]

半导体器件及其制造方法 [P].

S·斯里尼瓦桑 ;

J·加姆比诺 ;

M·韦伊布赖特 ;

T·鲁普 .

中国专利 :CN1263357A ,2000-08-16

[8]

半导体器件及其制造方法 [P].

文在渊 .

中国专利 :CN1909244A ,2007-02-07

[9]

半导体器件及其制造方法 [P].

郑永均 ;

洪坰国 ;

李钟锡 ;

千大焕 .

中国专利 :CN103811350A ,2014-05-21

[10]

半导体器件及其制造方法 [P].

玉祖秀人 .

中国专利 :CN102804342B ,2012-11-28

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