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半导体器件及其制造方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201710616236.1
申请日：
2017-07-26
公开(公告)号：
CN108615767A
公开(公告)日：
2018-10-02
发明(设计)人：
千大焕
申请人：
申请人地址：
韩国首尔
IPC主分类号：
H01L2978
IPC分类号：
H01L2104
代理机构：
北京戈程知识产权代理有限公司 11314
代理人：
程伟;王锦阳
法律状态：
发明专利申请公布后的视为撤回
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2020-07-07 | 发明专利申请公布后的视为撤回 | 发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L 29/78 申请公布日:20181002 |
| 2018-10-02 | 公开 | 公开 |