半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201180010752.0

申请日：

2011-10-25

公开(公告)号：

CN102770960B

公开(公告)日：

2012-11-07

发明(设计)人：

增田健良和田圭司日吉透

申请人：

申请人地址：

日本大阪府大阪市

IPC主分类号：

H01L2912

IPC分类号：

H01L21336 H01L2978

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司 11219

代理人：

韩峰;孙志湧

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-12-26	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101373117997 IPC(主分类):H01L 29/12 专利申请号:2011800107520 申请日:20111025
2012-11-07	公开	公开
2015-08-12	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体器件及其制造方法 [P].

千大焕 .

中国专利 :CN108615767A ,2018-10-02

[2]

半导体器件及其制造方法 [P].

洪坰国 ;

千大焕 ;

李钟锡 ;

郑永均 ;

姜修槟 .

中国专利 :CN104733528A ,2015-06-24

[3]

半导体器件及其制造方法 [P].

佐伯贵范 .

中国专利 :CN1190263A ,1998-08-12

[4]

半导体器件及其制造方法 [P].

和田圭司 ;

增田健良 ;

日吉透 .

中国专利 :CN103907195B ,2014-07-02

[5]

半导体器件及其制造方法 [P].

周洛龙 ;

郑永均 ;

朴正熙 ;

李钟锡 ;

千大焕 .

中国专利 :CN108615758A ,2018-10-02

[6]

半导体器件及其制造方法 [P].

千大焕 .

中国专利 :CN108615766A ,2018-10-02

[7]

半导体器件及其制造方法 [P].

三原龙善 .

中国专利 :CN107464815A ,2017-12-12

[8]

半导体器件及其制造方法 [P].

千大焕 ;

周洛龙 .

中国专利 :CN108615730A ,2018-10-02

[9]

半导体器件及其制造方法 [P].

李钟锡 ;

洪坰国 ;

千大焕 ;

郑永均 .

中国专利 :CN103872130A ,2014-06-18

[10]

半导体器件及其制造方法 [P].

千大焕 ;

洪坰国 ;

李钟锡 ;

朴正熙 ;

郑永均 .

中国专利 :CN104752505B ,2015-07-01

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