可低温烧结的温度稳定型微波介电陶瓷Li3Zn2B3O8及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610092886.6

申请日：

2016-02-20

公开(公告)号：

CN105523757A

公开(公告)日：

2016-04-27

发明(设计)人：

覃杏柳苏聪学郑彬宁

申请人：

申请人地址：

541004 广西壮族自治区桂林市建干路12号

IPC主分类号：

C04B35453

IPC分类号：

C04B3564

代理机构：

代理人：

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-05-25	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101662094566 IPC(主分类):C04B 35/453 专利申请号:2016100928866 申请日:20160220
2021-02-12	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C04B 35/453 申请公布日:20160427
2016-04-27	公开	公开

共 50 条

[1]

可低温烧结的温度稳定型微波介电陶瓷Bi2Zn3Ge2O10及其制备方法 [P].

李纯纯 ;

方维双 ;

苏和平 .

中国专利 :CN105418065A ,2016-03-23

[2]

可低温烧结的温度稳定型微波介电陶瓷Li3PO4及其制备方法 [P].

方亮 ;

李洁 ;

唐莹 .

中国专利 :CN103896572A ,2014-07-02

[3]

可低温烧结的温度稳定型微波介电陶瓷Ba3SmV3O12及其制备方法 [P].

覃杏柳 ;

苏聪学 ;

郑彬宁 .

中国专利 :CN105801117A ,2016-07-27

[4]

可低温烧结的温度稳定型微波介电陶瓷Bi2TiGe3O11及其制备方法 [P].

李纯纯 ;

方维双 ;

苏和平 .

中国专利 :CN105645947A ,2016-06-08

[5]

可低温烧结的温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷Li2Zn2YV3O12 [P].

方维双 ;

陈进武 ;

唐莹 .

中国专利 :CN105236975A ,2016-01-13

[6]

可低温烧结的微波介电陶瓷Li3Zn4NbO8及其制备方法 [P].

陈进武 ;

方亮 ;

唐莹 .

中国专利 :CN104003723A ,2014-08-27

[7]

可低温烧结的温度稳定型微波介电陶瓷LiVP2O8及其制备方法 [P].

方亮 ;

陈进武 ;

唐莹 .

中国专利 :CN103964835A ,2014-08-06

[8]

可低温烧结的温度稳定型微波介电陶瓷LiPO3及其制备方法 [P].

方亮 ;

李洁 ;

唐莹 .

中国专利 :CN103896573A ,2014-07-02

[9]

可低温烧结的微波介电陶瓷Li2W2Zn3O10及其制备方法 [P].

陈进武 ;

方亮 ;

唐莹 .

中国专利 :CN104003721A ,2014-08-27

[10]

可低温烧结的温度稳定型微波介电陶瓷Li2Cu3Ti4O12及其制备方法 [P].

徐敏育 ;

李纯纯 ;

方维双 .

中国专利 :CN106083031A ,2016-11-09

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