可低温烧结的温度稳定型微波介电陶瓷LiVP2O8及其制备方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201410170782.3
申请日
2014-04-27
公开(公告)号
CN103964835A
公开(公告)日
2014-08-06
发明(设计)人
方亮 陈进武 唐莹
申请人
申请人地址
541004 广西壮族自治区桂林市建干路12号
IPC主分类号
C04B35447
IPC分类号
C04B35622
代理机构
代理人
法律状态
公开
国省代码
引用
下载
收藏
共 50 条
[1]
可低温烧结的温度稳定型微波介电陶瓷LiPO3及其制备方法 [P]. 
方亮 ;
李洁 ;
唐莹 .
中国专利 :CN103896573A ,2014-07-02
[2]
可低温烧结的温度稳定型微波介电陶瓷CaCu2Ge2O7及其制备方法 [P]. 
王丹 ;
方维双 ;
苏和平 .
中国专利 :CN105461288A ,2016-04-06
[3]
可低温烧结的温度稳定型微波介电陶瓷Li3Zn2B3O8及其制备方法 [P]. 
覃杏柳 ;
苏聪学 ;
郑彬宁 .
中国专利 :CN105523757A ,2016-04-27
[4]
可低温烧结的温度稳定型微波介电陶瓷Bi2CuGeO6及其制备方法 [P]. 
李纯纯 ;
方维双 ;
苏和平 .
中国专利 :CN105461297A ,2016-04-06
[5]
可低温烧结的温度稳定型微波介电陶瓷Bi2TiGe3O11及其制备方法 [P]. 
李纯纯 ;
方维双 ;
苏和平 .
中国专利 :CN105645947A ,2016-06-08
[6]
低温烧结温度稳定型微波介电陶瓷Bi14W2O27及其制备方法 [P]. 
方亮 ;
郭欢欢 ;
韦珍海 .
中国专利 :CN103496981B ,2014-01-08
[7]
可低温烧结的微波介电陶瓷Li3Ti2PO8及其制备方法 [P]. 
唐莹 ;
方亮 ;
陈进武 .
中国专利 :CN104003710B ,2014-08-27
[8]
可低温烧结的微波介电陶瓷Li3Ti2VO8及其制备方法 [P]. 
唐莹 ;
方亮 ;
陈进武 .
中国专利 :CN104003718A ,2014-08-27
[9]
可低温烧结的温度稳定型微波介电陶瓷Bi2Zn3Ge2O10及其制备方法 [P]. 
李纯纯 ;
方维双 ;
苏和平 .
中国专利 :CN105418065A ,2016-03-23
[10]
可低温烧结的温度稳定型微波介电陶瓷Li3PO4及其制备方法 [P]. 
方亮 ;
李洁 ;
唐莹 .
中国专利 :CN103896572A ,2014-07-02