非易失存储器件及其制造方法

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专利类型
发明
申请号
CN200610125682.4
申请日
2006-08-31
公开(公告)号
CN1925184B
公开(公告)日
2007-03-07
发明(设计)人
金东彻 白寅圭 车映官 李文淑 朴祥珍
申请人
申请人地址
韩国京畿道
IPC主分类号
H01L4500
IPC分类号
H01L2724 H01L2182
代理机构
北京市柳沈律师事务所 11105
代理人
陶凤波
法律状态
专利权的终止
国省代码
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共 50 条
[1]
非易失存储器件和非易失存储器阵列 [P]. 
李明宰 ;
柳寅儆 ;
李殷洪 ;
金钟完 ;
金东彻 ;
安承彦 .
中国专利 :CN101030622B ,2007-09-05
[2]
非易失存储器件及其制造方法 [P]. 
朴允童 ;
金元柱 ;
具俊谟 ;
金锡必 ;
玄在雄 ;
李政勋 .
中国专利 :CN101038923A ,2007-09-19
[3]
非易失存储器件及其制造方法 [P]. 
崔雄林 ;
罗庚晚 .
中国专利 :CN1195197A ,1998-10-07
[4]
非易失存储器件及其制造方法 [P]. 
金基喆 ;
郑永天 ;
权赫基 .
中国专利 :CN1787218A ,2006-06-14
[5]
非易失存储器件及其制造方法 [P]. 
卢载润 ;
李熙烈 .
中国专利 :CN101677089A ,2010-03-24
[6]
制造非易失存储器件的方法 [P]. 
李仁鲁 .
中国专利 :CN101499442A ,2009-08-05
[7]
非易失存储器件 [P]. 
田中利广 ;
梅本由纪子 ;
平木充 ;
品川裕 ;
藤户正道 ;
铃川一文 ;
古川博之 ;
山木贵志 ;
神垣良昭 ;
南真一 ;
片山弘造 ;
松崎望 .
中国专利 :CN101373635A ,2009-02-25
[8]
用于制造非易失存储器件的方法 [P]. 
崔雄林 ;
罗庚晚 .
中国专利 :CN1204870A ,1999-01-13
[9]
包括可变电阻材料的非易失存储器件 [P]. 
赵重来 ;
李殷洪 ;
埃尔·M·布里姆 ;
文昌郁 .
中国专利 :CN101064359A ,2007-10-31
[10]
非易失存储器和非易失存储器制造方法 [P]. 
儿玉典昭 ;
田康秀 ;
金森宏治 ;
藤枝信次 ;
铃木润一 ;
户田昭夫 ;
西坂祯一郎 .
中国专利 :CN1667830A ,2005-09-14