非易失存储器件及其制造方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN200910169088.9
申请日
2009-09-21
公开(公告)号
CN101677089A
公开(公告)日
2010-03-24
发明(设计)人
卢载润 李熙烈
申请人
申请人地址
韩国京畿道利川市
IPC主分类号
H01L218247
IPC分类号
H01L21768 H01L21265 H01L27115 H01L23528
代理机构
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人
顾晋伟;王春伟
法律状态
发明专利申请公布后的视为撤回
国省代码
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共 50 条
[1]
非易失存储器件及其制造方法 [P]. 
朴允童 ;
金元柱 ;
具俊谟 ;
金锡必 ;
玄在雄 ;
李政勋 .
中国专利 :CN101038923A ,2007-09-19
[2]
非易失存储器件及其制造方法 [P]. 
崔雄林 ;
罗庚晚 .
中国专利 :CN1195197A ,1998-10-07
[3]
非易失性存储装置、非易失性存储器件及其制造方法 [P]. 
肖德元 ;
陈国庆 ;
李若加 .
中国专利 :CN102024821A ,2011-04-20
[4]
非易失存储器件及其制造方法 [P]. 
金东彻 ;
白寅圭 ;
车映官 ;
李文淑 ;
朴祥珍 .
中国专利 :CN1925184B ,2007-03-07
[5]
非易失存储器件及其制造方法 [P]. 
金基喆 ;
郑永天 ;
权赫基 .
中国专利 :CN1787218A ,2006-06-14
[6]
非易失存储器和非易失存储器制造方法 [P]. 
儿玉典昭 ;
田康秀 ;
金森宏治 ;
藤枝信次 ;
铃木润一 ;
户田昭夫 ;
西坂祯一郎 .
中国专利 :CN1667830A ,2005-09-14
[7]
非易失存储器及其制造方法 [P]. 
田喜锡 ;
韩晶昱 ;
李昌勋 ;
姜盛泽 ;
徐辅永 ;
权赫基 .
中国专利 :CN101615597A ,2009-12-30
[8]
非易失存储器及其制造方法 [P]. 
田喜锡 ;
韩晶昱 ;
李昌勋 ;
姜盛泽 ;
徐辅永 ;
权赫基 .
中国专利 :CN1901200A ,2007-01-24
[9]
非易失性半导体存储器件及其制造方法 [P]. 
渡边浩志 ;
木下敦宽 ;
高岛章 ;
萩岛大辅 .
中国专利 :CN100461427C ,2006-09-27
[10]
非易失性半导体存储器件及其制造方法 [P]. 
李昌炫 .
中国专利 :CN1835240B ,2006-09-20