非易失性存储装置、非易失性存储器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910195983.8

申请日：

2009-09-18

公开(公告)号：

CN102024821A

公开(公告)日：

2011-04-20

发明(设计)人：

肖德元陈国庆李若加

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L27115

IPC分类号：

H01L2910 H01L29423 H01L218247

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

李丽

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-06-08	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101077291176 IPC(主分类):H01L 27/115 专利申请号:2009101959838 申请日:20090918
2020-09-04	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 27/115 申请日:20090918 授权公告日:20120822 终止日期:20190918
2012-11-28	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101477945694 IPC(主分类):H01L 27/115 专利号:ZL2009101959838 变更事项:专利权人变更前权利人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司变更后权利人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司变更事项:地址变更前权利人:201203 上海市浦东新区张江路18号变更后权利人:201203 上海市浦东新区张江路18号变更事项:专利权人变更前权利人:无变更后权利人:中芯国际集成电路制造(北京)有限公司登记生效日:20121031
2011-04-20	公开	公开
2012-08-22	授权	授权

共 50 条

[1]

非易失存储器件及其制造方法 [P].

卢载润 ;

李熙烈 .

中国专利 :CN101677089A ,2010-03-24

[2]

非易失性存储器件、非易失性存储系统及其制造方法 [P].

金森宏治 ;

赵相渊 ;

韩智勋 .

中国专利 :CN114334996A ,2022-04-12

[3]

非易失性存储元件、非易失性存储器件、非易失性半导体器件以及非易失性存储元件的制造方法 [P].

藤井觉 ;

高木刚 ;

村冈俊作 ;

小佐野浩一 ;

岛川一彦 .

中国专利 :CN101636840B ,2010-01-27

[4]

非易失性存储器件、非易失性存储系统、及其编程方法 [P].

南尚完 ;

朴晸埙 .

中国专利 :CN103325417A ,2013-09-25

[5]

非易失性存储器件和非易失性存储系统 [P].

黄盛珉 ;

金智源 ;

安在昊 ;

任峻成 ;

成锡江 .

中国专利 :CN114388031A ,2022-04-22

[6]

非易失性存储器件和非易失性存储系统 [P].

安在昊 ;

金智源 ;

黄盛珉 ;

任峻成 ;

成锡江 .

中国专利 :CN114284294A ,2022-04-05

[7]

非易失性存储器件及其制造方法 [P].

郑真孝 .

中国专利 :CN101471384A ,2009-07-01

[8]

非易失性存储器件及其制造方法 [P].

高利尚卡尔·钦达劳雷 ;

保罗·A·英格尔索尔 ;

克莱格·T·斯维夫特 ;

亚历山大·B·豪伊夫勒 .

中国专利 :CN101197292B ,2008-06-11

[9]

非易失性存储器件及其制造方法 [P].

高利尚卡尔·钦达劳雷 ;

保罗·A·英格尔索尔 ;

克莱格·T·斯维夫特 ;

亚历山大·B·豪伊夫勒 .

中国专利 :CN100420036C ,2005-10-26

[10]

非易失性存储器件及其制造方法 [P].

黄胜民 ;

金铉修 .

中国专利 :CN102142400A ,2011-08-03

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