非易失存储器及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910139687.6

申请日：

2006-07-20

公开(公告)号：

CN101615597A

公开(公告)日：

2009-12-30

发明(设计)人：

田喜锡韩晶昱李昌勋姜盛泽徐辅永权赫基

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L218247

IPC分类号：

H01L21768 H01L27115

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

陶凤波

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-04-20	授权	授权
2012-09-19	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101327536592 IPC(主分类):H01L 21/8247 专利号:ZL2009101396876 申请日:20060720 授权公告日:20110420 终止日期:20110720
2010-02-24	实质审查的生效	实质审查的生效
2009-12-30	公开	公开

共 50 条

[1]

非易失存储器和非易失存储器制造方法 [P].

儿玉典昭 ;

田康秀 ;

金森宏治 ;

藤枝信次 ;

铃木润一 ;

户田昭夫 ;

西坂祯一郎 .

中国专利 :CN1667830A ,2005-09-14

[2]

非易失存储器及其制造方法 [P].

田喜锡 ;

韩晶昱 ;

李昌勋 ;

姜盛泽 ;

徐辅永 ;

权赫基 .

中国专利 :CN1901200A ,2007-01-24

[3]

非易失存储器件及其制造方法 [P].

朴允童 ;

金元柱 ;

具俊谟 ;

金锡必 ;

玄在雄 ;

李政勋 .

中国专利 :CN101038923A ,2007-09-19

[4]

非易失存储器件及其制造方法 [P].

崔雄林 ;

罗庚晚 .

中国专利 :CN1195197A ,1998-10-07

[5]

非易失存储器件及其制造方法 [P].

卢载润 ;

李熙烈 .

中国专利 :CN101677089A ,2010-03-24

[6]

非易失存储器的制造方法 [P].

崔雄林 ;

罗庚晚 .

中国专利 :CN1095200C ,1999-01-13

[7]

非易失存储器及其制造方法 [P].

吴昭谊 .

中国专利 :CN1953183A ,2007-04-25

[8]

非易失存储器及其制造方法 [P].

魏鸿基 ;

毕嘉慧 ;

曾维中 .

中国专利 :CN100452362C ,2007-08-22

[9]

非易失存储器及其制造方法 [P].

张格荥 ;

张骕远 .

中国专利 :CN101022114A ,2007-08-22

[10]

硅化的非易失存储器及其制造方法 [P].

埃尔温·J·普林茨 ;

库－米恩·昌 ;

罗伯特·F·施泰梅尔 .

中国专利 :CN101401200A ,2009-04-01

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