硅化的非易失存储器及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200780008885.8

申请日：

2007-02-22

公开(公告)号：

CN101401200A

公开(公告)日：

2009-04-01

发明(设计)人：

埃尔温·J·普林茨库－米恩·昌罗伯特·F·施泰梅尔

申请人：

申请人地址：

美国得克萨斯

IPC主分类号：

H01L21762

IPC分类号：

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司

代理人：

刘光明;穆德骏

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-04-01	公开	公开
2021-02-09	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/762 申请日:20070222 授权公告日:20110706 终止日期:20200222
2009-05-27	实质审查的生效	实质审查的生效
2011-07-06	授权	授权

共 50 条

[1]

非易失存储器和非易失存储器制造方法 [P].

儿玉典昭 ;

田康秀 ;

金森宏治 ;

藤枝信次 ;

铃木润一 ;

户田昭夫 ;

西坂祯一郎 .

中国专利 :CN1667830A ,2005-09-14

[2]

非易失存储器及其制造方法 [P].

田喜锡 ;

韩晶昱 ;

李昌勋 ;

姜盛泽 ;

徐辅永 ;

权赫基 .

中国专利 :CN101615597A ,2009-12-30

[3]

非易失存储器及其制造方法 [P].

田喜锡 ;

韩晶昱 ;

李昌勋 ;

姜盛泽 ;

徐辅永 ;

权赫基 .

中国专利 :CN1901200A ,2007-01-24

[4]

非易失存储器的制造方法 [P].

崔雄林 ;

罗庚晚 .

中国专利 :CN1095200C ,1999-01-13

[5]

非易失存储器件及其制造方法 [P].

朴允童 ;

金元柱 ;

具俊谟 ;

金锡必 ;

玄在雄 ;

李政勋 .

中国专利 :CN101038923A ,2007-09-19

[6]

非易失存储器件及其制造方法 [P].

崔雄林 ;

罗庚晚 .

中国专利 :CN1195197A ,1998-10-07

[7]

非易失存储器件及其制造方法 [P].

卢载润 ;

李熙烈 .

中国专利 :CN101677089A ,2010-03-24

[8]

非易失存储器及其制造方法 [P].

吴昭谊 .

中国专利 :CN1953183A ,2007-04-25

[9]

非易失存储器及其制造方法 [P].

魏鸿基 ;

毕嘉慧 ;

曾维中 .

中国专利 :CN100452362C ,2007-08-22

[10]

非易失存储器及其制造方法 [P].

张格荥 ;

张骕远 .

中国专利 :CN101022114A ,2007-08-22

← 1 2 3 4 5 →