纳米硅薄膜压力传感器

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201220540296.2

申请日：

2012-10-22

公开(公告)号：

CN202956241U

公开(公告)日：

2013-05-29

发明(设计)人：

谢贵久白庆星安志超谢锋何迎辉颜志红黄华山龚星

申请人：

申请人地址：

410111 湖南省长沙市天心区新开铺路1025号

IPC主分类号：

G01L904

IPC分类号：

代理机构：

长沙正奇专利事务所有限责任公司 43113

代理人：

马强

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-05-29	授权	授权
2022-11-08	专利权的终止	专利权有效期届满 IPC(主分类):G01L 9/04 申请日:20121022 授权公告日:20130529

共 50 条

[1]

纳米硅薄膜晶体管压力传感器 [P].

赵晓锋 ;

温殿忠 ;

庄萃萃 ;

李玥 .

中国专利 :CN102243126B ,2011-11-16

[2]

纳米压力传感器 [P].

安志超 ;

杨彪 ;

雷卫武 .

中国专利 :CN2483705Y ,2002-03-27

[3]

薄膜压力传感器 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN105021341B ,2015-11-04

[4]

圆形硅薄膜微机电压力传感器 [P].

李伟华 .

中国专利 :CN102012287A ,2011-04-13

[5]

矩形硅薄膜微机电压力传感器 [P].

李伟华 .

中国专利 :CN102042887A ,2011-05-04

[6]

硅高温压力传感器 [P].

张维新 ;

朱秀文 ;

毛赣如 .

中国专利 :CN2110217U ,1992-07-15

[7]

压力传感器 [P].

罗应树 ;

刘松润 ;

钟茗 .

中国专利 :CN209214815U ,2019-08-06

[8]

压力传感器 [P].

周志健 ;

刘洪喜 ;

熊娟 .

中国专利 :CN214702569U ,2021-11-12

[9]

压力传感器 [P].

周志健 ;

余伦宙 ;

熊娟 ;

赵怿 .

中国专利 :CN214702570U ,2021-11-12

[10]

压力传感器 [P].

马清杰 ;

吴多武 ;

许正一 .

中国专利 :CN207600634U ,2018-07-10

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