纳米硅薄膜晶体管压力传感器

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110093983.4

申请日：

2011-04-14

公开(公告)号：

CN102243126B

公开(公告)日：

2011-11-16

发明(设计)人：

赵晓锋温殿忠庄萃萃李玥

申请人：

申请人地址：

150080 黑龙江省哈尔滨市南岗区学府路74号

IPC主分类号：

G01L906

IPC分类号：

B82Y1500

代理机构：

哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109

代理人：

牟永林

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-01-30	授权	授权
2012-02-08	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101180313773 IPC(主分类):G01L 9/06 专利申请号:2011100939834 申请日:20110414
2018-01-05	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):G01L 9/06 登记生效日:20171215 变更事项:专利权人变更前权利人:黑龙江大学变更后权利人:涿州方方电子科技有限公司变更事项:地址变更前权利人:150080 黑龙江省哈尔滨市南岗区学府路74号变更后权利人:072750 河北省保定市涿州高铁新城鸿坤理想湾二号楼一层
2011-11-16	公开	公开

共 50 条

[1]

纳米硅薄膜压力传感器 [P].

谢贵久 ;

白庆星 ;

安志超 ;

谢锋 ;

何迎辉 ;

颜志红 ;

黄华山 ;

龚星 .

中国专利 :CN202956241U ,2013-05-29

[2]

基于薄膜晶体管的压力传感器及其制备方法 [P].

卢年端 ;

李泠 ;

史学文 ;

姜文峰 ;

陆丛研 ;

耿玓 ;

刘明 .

中国专利 :CN112271247A ,2021-01-26

[3]

薄膜晶体管、其制作方法、压力传感器及压力传感装置 [P].

陶永春 ;

曲峰 .

中国专利 :CN110797414A ,2020-02-14

[4]

薄膜晶体管传感器、其制造方法及薄膜晶体管传感器阵列 [P].

金武谦 ;

朴昶模 .

中国专利 :CN102347369B ,2012-02-08

[5]

薄膜晶体管多功能传感器 [P].

王晓东 ;

马力千 .

中国专利 :CN215177822U ,2021-12-14

[6]

薄膜晶体管生物/化学传感器 [P].

杜纳尔德·Ｅ·阿克利 ;

查一龙·施 .

中国专利 :CN1119652C ,1997-08-13

[7]

薄膜晶体管和辐射传感器 [P].

木村茂 ;

关根裕之 ;

石野隆行 ;

岩佐昂一 .

日本专利 :CN120835592A ,2025-10-24

[8]

薄膜晶体管及传感器 [P].

郭威 ;

孟虎 ;

陈江博 .

中国专利 :CN117673166A ,2024-03-08

[9]

抗辐射压力传感器 [P].

王善慈 ;

王文襄 ;

吴如兆 ;

周永军 ;

王景伟 .

中国专利 :CN101493371A ,2009-07-29

[10]

薄膜晶体管传感器及其制备方法 [P].

田雪雁 .

中国专利 :CN105552132A ,2016-05-04

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