一种背照式图像传感器像素及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410449040.4

申请日：

2014-09-04

公开(公告)号：

CN104201182A

公开(公告)日：

2014-12-10

发明(设计)人：

郭同辉旷章曲

申请人：

申请人地址：

100085 北京市海淀区上地五街7号昊海大厦二层201室

IPC主分类号：

H01L27146

IPC分类号：

代理机构：

北京凯特来知识产权代理有限公司 11260

代理人：

郑立明;赵镇勇

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-12-10	公开	公开
2017-08-08	授权	授权
2015-01-07	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101594581316 IPC(主分类):H01L 27/146 专利申请号:2014104490404 申请日:20140904

共 50 条

[1]

一种背照式图像传感器像素结构 [P].

郭同辉 ;

旷章曲 .

中国专利 :CN204179082U ,2015-02-25

[2]

背照式图像传感器像素及图像传感器及其制作方法 [P].

郭同辉 ;

陈杰 ;

刘志碧 ;

唐冕 ;

旷章曲 .

中国专利 :CN104009057A ,2014-08-27

[3]

背照式图像传感器及其制作方法 [P].

佟璐 ;

陈世杰 ;

黄晓橹 .

中国专利 :CN108831901A ,2018-11-16

[4]

背照式图像传感器及其制作方法 [P].

赵立新 .

中国专利 :CN103367381B ,2013-10-23

[5]

背照式图像传感器及其制作方法 [P].

佟璐 ;

陈世杰 ;

黄晓橹 .

中国专利 :CN108899335A ,2018-11-27

[6]

一种图像传感器像素及其制作方法 [P].

郭同辉 ;

旷章曲 .

中国专利 :CN104201183A ,2014-12-10

[7]

背照式图像传感器及其制作方法 [P].

陈维邦 .

中国专利 :CN119653883A ,2025-03-18

[8]

背照式图像传感器及其制作方法 [P].

陈维邦 .

中国专利 :CN119653883B ,2025-05-27

[9]

背照式图像传感器的制作方法及背照式图像传感器 [P].

王冲 ;

奚民伟 .

中国专利 :CN105575980A ,2016-05-11

[10]

一种背照式CMOS图像传感器像素单元及其制作方法 [P].

顾学强 ;

周伟 ;

范春晖 .

中国专利 :CN107919372A ,2018-04-17

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