一种背照式图像传感器像素结构

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201420508898.9

申请日：

2014-09-04

公开(公告)号：

CN204179082U

公开(公告)日：

2015-02-25

发明(设计)人：

郭同辉旷章曲

申请人：

申请人地址：

100085 北京市海淀区上地五街7号昊海大厦二层201室

IPC主分类号：

H01L27146

IPC分类号：

代理机构：

北京凯特来知识产权代理有限公司 11260

代理人：

郑立明;赵镇勇

法律状态：

授权

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-02-25	授权	授权
2019-08-20	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 27/146 申请日:20140904 授权公告日:20150225 终止日期:20180904

共 50 条

[1]

一种背照式图像传感器像素及其制作方法 [P].

郭同辉 ;

旷章曲 .

中国专利 :CN104201182A ,2014-12-10

[2]

一种图像传感器像素结构 [P].

郭同辉 ;

旷章曲 .

中国专利 :CN204230243U ,2015-03-25

[3]

背照式图像传感器 [P].

赵立新 ;

李杰 .

中国专利 :CN207834299U ,2018-09-07

[4]

图像传感器及其像素结构 [P].

郭同辉 ;

旷章曲 ;

唐冕 .

中国专利 :CN203983283U ,2014-12-03

[5]

背照式图像传感器像素结构及其图像传感器 [P].

胡泽望 ;

於亥雨 .

中国专利 :CN119300491A ,2025-01-10

[6]

背照式图像传感器像素结构及图像传感器 [P].

郭同辉 ;

陈杰 ;

刘志碧 ;

唐冕 ;

旷章曲 .

中国专利 :CN203983284U ,2014-12-03

[7]

一种CMOS图像传感器像素结构 [P].

郭同辉 ;

旷章曲 .

中国专利 :CN204144261U ,2015-02-04

[8]

背照式低串扰图像传感器像素结构 [P].

陈多金 ;

陈杰 ;

刘志碧 ;

旷章曲 .

中国专利 :CN203859116U ,2014-10-01

[9]

一种减少电荷残留的背照式图像传感器 [P].

郭同辉 ;

陈杰 ;

刘志碧 ;

唐冕 ;

旷章曲 .

中国专利 :CN203631555U ,2014-06-04

[10]

背照式图像传感器 [P].

赵立新 ;

李杰 .

中国专利 :CN109979950A ,2019-07-05

← 1 2 3 4 5 →