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一种减少电荷残留的背照式图像传感器
被引:0
专利类型
:
实用新型
申请号
:
CN201320842163.5
申请日
:
2013-12-18
公开(公告)号
:
CN203631555U
公开(公告)日
:
2014-06-04
发明(设计)人
:
郭同辉
陈杰
刘志碧
唐冕
旷章曲
申请人
:
申请人地址
:
100085 北京市海淀区上地五街7号昊海大厦二层201室
IPC主分类号
:
H01L27146
IPC分类号
:
代理机构
:
北京凯特来知识产权代理有限公司 11260
代理人
:
郑立明;赵镇勇
法律状态
:
专利权的终止
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2018-12-04
专利权的终止
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 27/146 申请日:20131218 授权公告日:20140604 终止日期:20171218
2014-06-04
授权
授权
共 50 条
[1]
一种减少电荷残留的背照式图像传感器结构及其制造方法
[P].
郭同辉
论文数:
0
引用数:
0
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郭同辉
;
陈杰
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0
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0
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陈杰
;
刘志碧
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0
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刘志碧
;
唐冕
论文数:
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唐冕
;
旷章曲
论文数:
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0
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0
旷章曲
.
中国专利
:CN103646955A
,2014-03-19
[2]
一种背照式图像传感器像素结构
[P].
郭同辉
论文数:
0
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0
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0
郭同辉
;
旷章曲
论文数:
0
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0
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0
旷章曲
.
中国专利
:CN204179082U
,2015-02-25
[3]
背照式图像传感器
[P].
赵立新
论文数:
0
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0
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0
赵立新
;
李杰
论文数:
0
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李杰
.
中国专利
:CN207834299U
,2018-09-07
[4]
背照式图像传感器
[P].
赵立新
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0
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赵立新
;
李杰
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0
李杰
.
中国专利
:CN109979950A
,2019-07-05
[5]
背照式图像传感器
[P].
赵立新
论文数:
0
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0
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0
赵立新
.
中国专利
:CN203456461U
,2014-02-26
[6]
背照式CMOS图像传感器
[P].
李杰
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0
李杰
;
李文强
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0
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李文强
.
中国专利
:CN203826392U
,2014-09-10
[7]
背照式图像传感器
[P].
朴成炯
论文数:
0
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0
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朴成炯
;
李柱日
论文数:
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0
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0
李柱日
.
中国专利
:CN101335282A
,2008-12-31
[8]
背照式图像传感器
[P].
赵立新
论文数:
0
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0
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赵立新
;
李杰
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0
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李杰
;
徐泽
论文数:
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0
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0
徐泽
.
中国专利
:CN204391115U
,2015-06-10
[9]
背照式图像传感器
[P].
赵立新
论文数:
0
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0
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赵立新
;
李杰
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李杰
;
徐泽
论文数:
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0
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0
徐泽
.
中国专利
:CN104617120B
,2015-05-13
[10]
背照式图像传感器制备方法及背照式图像传感器
[P].
陈维邦
论文数:
0
引用数:
0
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机构:
合肥晶合集成电路股份有限公司
合肥晶合集成电路股份有限公司
陈维邦
.
中国专利
:CN120692939A
,2025-09-23
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