一种减少电荷残留的背照式图像传感器

被引:0
专利类型
实用新型
申请号
CN201320842163.5
申请日
2013-12-18
公开(公告)号
CN203631555U
公开(公告)日
2014-06-04
发明(设计)人
郭同辉 陈杰 刘志碧 唐冕 旷章曲
申请人
申请人地址
100085 北京市海淀区上地五街7号昊海大厦二层201室
IPC主分类号
H01L27146
IPC分类号
代理机构
北京凯特来知识产权代理有限公司 11260
代理人
郑立明;赵镇勇
法律状态
专利权的终止
国省代码
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共 50 条
[1]
一种减少电荷残留的背照式图像传感器结构及其制造方法 [P]. 
郭同辉 ;
陈杰 ;
刘志碧 ;
唐冕 ;
旷章曲 .
中国专利 :CN103646955A ,2014-03-19
[2]
一种背照式图像传感器像素结构 [P]. 
郭同辉 ;
旷章曲 .
中国专利 :CN204179082U ,2015-02-25
[3]
背照式图像传感器 [P]. 
赵立新 ;
李杰 .
中国专利 :CN207834299U ,2018-09-07
[4]
背照式图像传感器 [P]. 
赵立新 ;
李杰 .
中国专利 :CN109979950A ,2019-07-05
[5]
背照式图像传感器 [P]. 
赵立新 .
中国专利 :CN203456461U ,2014-02-26
[6]
背照式CMOS图像传感器 [P]. 
李杰 ;
李文强 .
中国专利 :CN203826392U ,2014-09-10
[7]
背照式图像传感器 [P]. 
朴成炯 ;
李柱日 .
中国专利 :CN101335282A ,2008-12-31
[8]
背照式图像传感器 [P]. 
赵立新 ;
李杰 ;
徐泽 .
中国专利 :CN204391115U ,2015-06-10
[9]
背照式图像传感器 [P]. 
赵立新 ;
李杰 ;
徐泽 .
中国专利 :CN104617120B ,2015-05-13
[10]
背照式图像传感器制备方法及背照式图像传感器 [P]. 
陈维邦 .
中国专利 :CN120692939A ,2025-09-23