一种减少电荷残留的背照式图像传感器结构及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310700061.4

申请日：

2013-12-18

公开(公告)号：

CN103646955A

公开(公告)日：

2014-03-19

发明(设计)人：

郭同辉陈杰刘志碧唐冕旷章曲

申请人：

申请人地址：

100085 北京市海淀区上地五街7号昊海大厦二层201室

IPC主分类号：

H01L27146

IPC分类号：

代理机构：

北京凯特来知识产权代理有限公司 11260

代理人：

郑立明;赵镇勇

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-03-19	公开	公开
2018-01-19	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 27/146 申请公布日:20140319
2014-04-16	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101581482960 IPC(主分类):H01L 27/146 专利申请号:2013107000614 申请日:20131218

共 50 条

[1]

一种减少电荷残留的背照式图像传感器 [P].

郭同辉 ;

陈杰 ;

刘志碧 ;

唐冕 ;

旷章曲 .

中国专利 :CN203631555U ,2014-06-04

[2]

一种背照式图像传感器像素结构 [P].

郭同辉 ;

旷章曲 .

中国专利 :CN204179082U ,2015-02-25

[3]

背照式图像传感器及其制造方法 [P].

大石周 ;

黄晓橹 .

中国专利 :CN108288628A ,2018-07-17

[4]

背照式图像传感器及其制造方法 [P].

杨龙康 ;

林宗德 ;

黄仁德 .

中国专利 :CN109616487A ,2019-04-12

[5]

一种背照式图像传感器像素及其制作方法 [P].

郭同辉 ;

旷章曲 .

中国专利 :CN104201182A ,2014-12-10

[6]

背照式图像传感器的制造方法 [P].

周年云 ;

刘俊文 .

中国专利 :CN112259566A ,2021-01-22

[7]

背照式图像传感器 [P].

赵立新 ;

李杰 .

中国专利 :CN207834299U ,2018-09-07

[8]

背照式图像传感器 [P].

赵立新 ;

李杰 .

中国专利 :CN109979950A ,2019-07-05

[9]

背照式图像传感器及其制造方法 [P].

张盛鑫 ;

北村阳介 ;

黄晓橹 .

中国专利 :CN108598098A ,2018-09-28

[10]

背照式图像传感器及其制造方法 [P].

林宗德 ;

杨龙康 ;

黄仁德 .

中国专利 :CN108922897A ,2018-11-30

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