一种降低硅片体内复合的新型扩散工艺

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201611253790.X

申请日：

2016-12-30

公开(公告)号：

CN106783561A

公开(公告)日：

2017-05-31

发明(设计)人：

钱小芳

申请人：

申请人地址：

214400 江苏省无锡市江阴市申港镇镇澄路1011号

IPC主分类号：

H01L21223

IPC分类号：

H01L3118

代理机构：

南京苏科专利代理有限责任公司 32102

代理人：

姚姣阳

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-06-23	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101729177458 IPC(主分类):H01L 21/223 专利申请号:201611253790X 申请日:20161230
2017-05-31	公开	公开
2021-02-05	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 21/223 申请公布日:20170531

共 50 条

[1]

多晶硅片的磷扩散工艺 [P].

顾峰 .

中国专利 :CN102347222A ,2012-02-08

[2]

一种大尺寸硅片扩散工艺 [P].

何秋霞 ;

朱军 ;

杨韦 ;

马擎天 .

中国专利 :CN113078234A ,2021-07-06

[3]

太阳能电池硅片的磷扩散工艺 [P].

陈剑锋 ;

陆宁 .

中国专利 :CN102719894A ,2012-10-10

[4]

一种改善硅片表面扩散工艺的扩散机构 [P].

王天齐 ;

梁立成 ;

彭锐超 ;

罗显凯 .

中国专利 :CN216864384U ,2022-07-01

[5]

一种提高多晶硅开路电压的新型扩散工艺 [P].

钱小芳 ;

杨冬生 .

中国专利 :CN104752564A ,2015-07-01

[6]

一种多步推进扩散工艺 [P].

曾虎 .

中国专利 :CN104299896A ,2015-01-21

[7]

一种硅片的磷吸杂扩散工艺 [P].

曹江伟 ;

杨晓琴 ;

张广路 ;

蒋洋洋 .

中国专利 :CN105185870A ,2015-12-23

[8]

一种链式扩散工艺 [P].

吴俊旻 ;

张鹏 ;

常青 ;

谢耀辉 ;

张冠纶 .

中国专利 :CN109037044A ,2018-12-18

[9]

一种新型梯度沉积扩散高方阻的扩散工艺 [P].

杨昊 ;

王奎 ;

孙志林 ;

陆静 .

中国专利 :CN119855272A ,2025-04-18

[10]

一种太阳能电池的扩散工艺、制备方法及硅片 [P].

刘泉 ;

陈太昌 ;

祁嘉铭 ;

陈家健 ;

方贵允 .

中国专利 :CN113437182A ,2021-09-24

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