化合物、树脂、光刻用下层膜形成材料、抗蚀图案和电路图案形成方法及纯化方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201680042984.7

申请日：

2016-07-15

公开(公告)号：

CN107848983B

公开(公告)日：

2018-03-27

发明(设计)人：

冈田佳奈堀内淳矢牧野嶋高史越后雅敏

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

C07D23364

IPC分类号：

C07D40504 C08G836 C08G1600 G03F711 G03F726 H01L21027

代理机构：

北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277

代理人：

刘新宇;李茂家

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-03-27	公开	公开
2021-07-09	授权	授权
2018-05-25	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C07D 233/64 申请日:20160715

共 50 条

[1]

化合物、树脂、光刻用下层膜形成材料、光刻用下层膜形成用组合物、光刻用下层膜、图案形成方法及化合物或树脂的纯化方法 [P].

冈田佳奈 ;

堀内淳矢 ;

牧野嶋高史 ;

越后雅敏 .

中国专利 :CN107406383A ,2017-11-28

[2]

化合物、光刻用下层膜形成材料、光刻用下层膜及图案形成方法 [P].

越后雅敏 ;

牧野岛高史 ;

内山直哉 .

中国专利 :CN104969127B ,2015-10-07

[3]

化合物、光刻用下层膜形成材料、光刻用下层膜及图案形成方法 [P].

越后雅敏 ;

牧野岛高史 ;

内山直哉 .

中国专利 :CN104981463B ,2015-10-14

[4]

化合物、树脂、组合物、抗蚀图案形成方法和电路图案形成方法 [P].

樋田匠 ;

佐藤隆 ;

越后雅敏 .

中国专利 :CN108473639A ,2018-08-31

[5]

化合物、树脂和组合物、以及抗蚀图案形成方法和电路图案形成方法 [P].

越后雅敏 .

中国专利 :CN109803950A ,2019-05-24

[6]

化合物、树脂、光刻用下层膜形成材料、光刻用下层膜形成用组合物、光刻用下层膜、抗蚀图案形成方法、电路图案形成方法和化合物或树脂的纯化方法 [P].

樋田匠 ;

越后雅敏 ;

佐藤隆 ;

牧野嶋高史 .

中国专利 :CN107250089A ,2017-10-13

[7]

光刻用下层膜形成材料、光刻用下层膜及图案形成方法 [P].

越后雅敏 ;

东原豪 ;

内山直哉 .

中国专利 :CN103733136A ,2014-04-16

[8]

光刻用下层膜形成材料、光刻用下层膜及图案形成方法 [P].

越后雅敏 ;

东原豪 ;

内山直哉 .

中国专利 :CN106094440A ,2016-11-09

[9]

化合物、树脂、组合物、以及抗蚀图案形成方法和电路图案形成方法 [P].

越后雅敏 .

中国专利 :CN109715591A ,2019-05-03

[10]

化合物、树脂、组合物以及抗蚀图案形成方法及电路图案形成方法 [P].

越后雅敏 .

中国专利 :CN109476575A ,2019-03-15

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