选择性发射极双面PERC晶体硅太阳能电池的制作方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201610902698.5
申请日
2016-10-17
公开(公告)号
CN106449876A
公开(公告)日
2017-02-22
发明(设计)人
陈丽萍 周杰 严婷婷 汪涛 陆红艳 陈如龙
申请人
申请人地址
214028 江苏省无锡市新吴区新华路9号
IPC主分类号
H01L3118
IPC分类号
H01L310224
代理机构
无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104
代理人
曹祖良;刘海
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
选择性发射极黑硅双面PERC晶体硅太阳能电池的制作方法 [P]. 
陈丽萍 .
中国专利 :CN108470781A ,2018-08-31
[2]
选择性发射极晶体硅太阳能电池的制作方法 [P]. 
马红娜 ;
杨伟光 ;
王海亮 ;
张红妹 .
中国专利 :CN102983221A ,2013-03-20
[3]
PERC太阳能电池选择性发射极、PERC太阳能电池及其制作方法 [P]. 
眭山 ;
何宇 ;
王岚 ;
李忠涌 ;
苏荣 ;
王璞 ;
谢毅 .
中国专利 :CN112563347A ,2021-03-26
[4]
PERC太阳能电池选择性发射极以及PERC太阳能电池 [P]. 
眭山 ;
何宇 ;
王岚 ;
李忠涌 ;
苏荣 ;
王璞 ;
谢毅 .
中国专利 :CN214226918U ,2021-09-17
[5]
一种选择性发射极的晶体硅太阳能电池 [P]. 
郭唯博 ;
邱明良 ;
周利荣 ;
罗意 ;
庞宏杰 .
中国专利 :CN202189800U ,2012-04-11
[6]
晶体硅太阳能电池选择性发射极的磷扩散方法 [P]. 
崔鹏超 ;
李华 ;
李文 ;
钱应五 .
中国专利 :CN102403203A ,2012-04-04
[7]
晶体硅太阳能电池选择性发射极结构的制备方法 [P]. 
吴坚 ;
王栩生 ;
章灵军 .
中国专利 :CN101916798A ,2010-12-15
[8]
一种选择性发射极晶体硅太阳能电池的制备方法 [P]. 
周呈悦 ;
王懿喆 ;
马小凤 ;
梅伟芳 .
中国专利 :CN101800266B ,2010-08-11
[9]
选择性发射极太阳能电池 [P]. 
陈佰江 .
中国专利 :CN201717269U ,2011-01-19
[10]
太阳能电池选择性发射极结构 [P]. 
瞿辉 ;
曹玉甲 ;
张强 .
中国专利 :CN209389044U ,2019-09-13