选择性发射极晶体硅太阳能电池的制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210518052.9

申请日：

2012-12-04

公开(公告)号：

CN102983221A

公开(公告)日：

2013-03-20

发明(设计)人：

马红娜杨伟光王海亮张红妹

申请人：

申请人地址：

071051 河北省保定市朝阳北大街3399号

IPC主分类号：

H01L3118

IPC分类号：

代理机构：

北京康信知识产权代理有限责任公司 11240

代理人：

吴贵明;张永明

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-03-20	公开	公开
2013-04-17	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101438518911 IPC(主分类):H01L 31/18 专利申请号:2012105180529 申请日:20121204
2016-12-28	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101743917276 IPC(主分类):H01L 31/18 专利申请号:2012105180529 申请公布日:20130320

共 50 条

[1]

晶体硅太阳能电池选择性发射极的磷扩散方法 [P].

崔鹏超 ;

李华 ;

李文 ;

钱应五 .

中国专利 :CN102403203A ,2012-04-04

[2]

晶体硅太阳能电池选择性发射极结构的制备方法 [P].

吴坚 ;

王栩生 ;

章灵军 .

中国专利 :CN101916798A ,2010-12-15

[3]

一种晶体硅太阳能电池选择性发射极结构的制备方法 [P].

朱冉庆 ;

张凤 ;

吴坚 ;

王栩生 ;

章灵军 .

中国专利 :CN101997058A ,2011-03-30

[4]

选择性发射极黑硅双面PERC晶体硅太阳能电池的制作方法 [P].

陈丽萍 .

中国专利 :CN108470781A ,2018-08-31

[5]

一种选择性发射极晶体硅太阳能电池的制备方法 [P].

周呈悦 ;

王懿喆 ;

马小凤 ;

梅伟芳 .

中国专利 :CN101800266B ,2010-08-11

[6]

一种选择性发射极的晶体硅太阳能电池 [P].

郭唯博 ;

邱明良 ;

周利荣 ;

罗意 ;

庞宏杰 .

中国专利 :CN202189800U ,2012-04-11

[7]

选择性发射极双面PERC晶体硅太阳能电池的制作方法 [P].

陈丽萍 ;

周杰 ;

严婷婷 ;

汪涛 ;

陆红艳 ;

陈如龙 .

中国专利 :CN106449876A ,2017-02-22

[8]

中子嬗变掺杂实现选择性发射极晶体硅太阳能电池的制作方法 [P].

张衡 .

中国专利 :CN102315104A ,2012-01-11

[9]

晶体硅太阳能电池选择性印刷系统 [P].

金友康 ;

冯志强 .

中国专利 :CN202905766U ,2013-04-24

[10]

一种选择性发射极晶硅太阳能电池 [P].

方结彬 ;

秦崇德 ;

石强 ;

黄玉平 ;

何达能 .

中国专利 :CN204315591U ,2015-05-06

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