GaN基激光器及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710559781.1

申请日：

2017-07-11

公开(公告)号：

CN107204567B

公开(公告)日：

2017-09-26

发明(设计)人：

赵德刚梁锋

申请人：

申请人地址：

100083 北京市海淀区清华东路甲35号

IPC主分类号：

H01S5343

IPC分类号：

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

任岩

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-08-20	授权	授权
2017-09-26	公开	公开
2017-10-27	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01S 5/343 申请日:20170711

共 50 条

[1]

GaN基激光器及其制备方法 [P].

孙慧卿 ;

张和伟 ;

郭志友 .

中国专利 :CN109346923A ,2019-02-15

[2]

氮化镓基激光器及其制备方法 [P].

梁锋 ;

赵德刚 ;

杨静 ;

朱建军 ;

刘宗顺 ;

陈平 .

中国专利 :CN112134143B ,2020-12-25

[3]

一种氮化镓基激光器制备方法和氮化镓基激光器 [P].

梁锋 ;

赵德刚 ;

陈平 ;

刘宗顺 ;

杨静 .

中国专利 :CN114142345B ,2024-04-30

[4]

一种氮化镓基激光器制备方法和氮化镓基激光器 [P].

梁锋 ;

赵德刚 ;

陈平 ;

刘宗顺 ;

杨静 .

中国专利 :CN114142345A ,2022-03-04

[5]

FP腔GaN基激光器及其制作方法 [P].

张琪 ;

张书明 ;

李德尧 ;

刘建平 ;

张立群 ;

杨辉 .

中国专利 :CN111146689A ,2020-05-12

[6]

GaN基紫外激光器晶圆、激光器芯片及激光器及其制备方法 [P].

邢瑶 ;

赵德刚 ;

江德生 ;

刘宗顺 ;

陈平 ;

朱建军 ;

杨静 .

中国专利 :CN107069433A ,2017-08-18

[7]

氮化镓基激光器的制备方法 [P].

陈振宇 ;

赵德刚 ;

梁锋 ;

刘宗顺 ;

杨静 .

中国专利 :CN119742659B ,2025-12-09

[8]

氮化镓基激光器的制备方法 [P].

陈振宇 ;

赵德刚 ;

梁锋 ;

刘宗顺 ;

杨静 .

中国专利 :CN119742659A ,2025-04-01

[9]

一种GaN基激光器及其制备方法 [P].

王国斌 ;

王阳 .

中国专利 :CN116111455B ,2024-12-13

[10]

GaN基激光器及提高GaN基激光器光束质量的方法 [P].

张书明 ;

冯美鑫 ;

孙钱 .

中国专利 :CN118073963A ,2024-05-24

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