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GaN基激光器及其制备方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201811367240.X
申请日
:
2018-11-16
公开(公告)号
:
CN109346923A
公开(公告)日
:
2019-02-15
发明(设计)人
:
孙慧卿
张和伟
郭志友
申请人
:
申请人地址
:
510631 广东省广州市天河区中山大道西55号华南师范大学光电子材料与技术研究所
IPC主分类号
:
H01S5323
IPC分类号
:
代理机构
:
广州市华学知识产权代理有限公司 44245
代理人
:
李斌
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2019-03-12
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):H01S 5/323 申请日:20181116
2021-02-23
发明专利申请公布后的驳回
发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01S 5/323 申请公布日:20190215
2019-02-15
公开
公开
共 50 条
[1]
GaN基紫外激光器晶圆、激光器芯片及激光器及其制备方法
[P].
邢瑶
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邢瑶
;
赵德刚
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赵德刚
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江德生
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江德生
;
刘宗顺
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刘宗顺
;
陈平
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陈平
;
朱建军
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朱建军
;
杨静
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杨静
.
中国专利
:CN107069433A
,2017-08-18
[2]
GaN基激光器及其制备方法
[P].
赵德刚
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赵德刚
;
梁锋
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梁锋
.
中国专利
:CN107204567B
,2017-09-26
[3]
一种GaN基蓝光激光器及其制备方法
[P].
杨兰
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机构:
武汉鑫威源电子科技有限公司
武汉鑫威源电子科技有限公司
杨兰
;
印新达
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武汉鑫威源电子科技有限公司
武汉鑫威源电子科技有限公司
印新达
;
周志学
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武汉鑫威源电子科技有限公司
武汉鑫威源电子科技有限公司
周志学
;
张振峰
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机构:
武汉鑫威源电子科技有限公司
武汉鑫威源电子科技有限公司
张振峰
.
中国专利
:CN121172565A
,2025-12-19
[4]
一种GaN基激光器及其制备方法
[P].
王国斌
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机构:
江苏第三代半导体研究院有限公司
江苏第三代半导体研究院有限公司
王国斌
;
王阳
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机构:
江苏第三代半导体研究院有限公司
江苏第三代半导体研究院有限公司
王阳
.
中国专利
:CN116111455B
,2024-12-13
[5]
GaN基激光器及提高GaN基激光器光束质量的方法
[P].
张书明
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机构:
广东中科半导体微纳制造技术研究院
广东中科半导体微纳制造技术研究院
张书明
;
冯美鑫
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广东中科半导体微纳制造技术研究院
广东中科半导体微纳制造技术研究院
冯美鑫
;
孙钱
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广东中科半导体微纳制造技术研究院
广东中科半导体微纳制造技术研究院
孙钱
.
中国专利
:CN118073963A
,2024-05-24
[6]
FP腔GaN基激光器及其制作方法
[P].
张琪
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张琪
;
张书明
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张书明
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李德尧
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李德尧
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刘建平
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刘建平
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张立群
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张立群
;
杨辉
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杨辉
.
中国专利
:CN111146689A
,2020-05-12
[7]
紫外激光器及其制备方法
[P].
高茂林
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机构:
山西浙大新材料与化工研究院
山西浙大新材料与化工研究院
高茂林
;
杨静
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山西浙大新材料与化工研究院
山西浙大新材料与化工研究院
杨静
;
梁锋
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山西浙大新材料与化工研究院
山西浙大新材料与化工研究院
梁锋
;
赵德刚
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山西浙大新材料与化工研究院
山西浙大新材料与化工研究院
赵德刚
;
许并社
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机构:
山西浙大新材料与化工研究院
山西浙大新材料与化工研究院
许并社
.
中国专利
:CN118589300A
,2024-09-03
[8]
一种制备新型GaN基激光器的方法以及一种GaN基激光器
[P].
贾传宇
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贾传宇
;
张国义
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张国义
;
童玉珍
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童玉珍
.
中国专利
:CN104319631A
,2015-01-28
[9]
含有分步掺杂下波导层的GaN基激光器及其制备方法
[P].
侯玉菲
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侯玉菲
;
赵德刚
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赵德刚
;
梁锋
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梁锋
.
中国专利
:CN111490453B
,2020-08-04
[10]
GaN基激光器和超辐射发光二极管及其制备方法
[P].
孙钱
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孙钱
;
冯美鑫
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冯美鑫
;
周宇
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周宇
;
杨辉
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杨辉
;
池田昌夫
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池田昌夫
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刘建平
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刘建平
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张书明
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张书明
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李德尧
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李德尧
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张立群
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张立群
.
中国专利
:CN106711764A
,2017-05-24
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